onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/航空航天和电源应用中的独特设计挑战。onsemi在北美、欧洲和亚太地区的关键市场运营着一个反应迅速、可靠、世界一流的供应链和质量计划,以及一个由制造设施、销售办事处和设计中心组成的网络。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 40A (Ta) 最大功耗: 70W (Tc) 供应商设备包装: ATPAK 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥12.67508 | 2806 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12.67508 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A(Ta)、40A(Tc) 最大功耗: 40W (Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥7.74990 | 227 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7.74990 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 500毫安 (Ta) 最大功耗: 690mW (Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥0.64462 | 30 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.64462 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.3A (Ta) 最大功耗: 1.6W(Ta) 供应商设备包装: SuperSOT-6. 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥1.09223 | 2165 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1.09223 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.4A (Tc) 最大功耗: 3.13W(Ta)、142W(Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥21.65627 | 457 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥21.65627 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tc) 最大功耗: 75W (Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥7.89476 | 614 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7.89476 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.7A(Ta) 最大功耗: 500mW (Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥1.37036 | 41 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1.37036 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9A(Ta) 最大功耗: 1.47W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥8.11205 | 845 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8.11205 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2A(Ta) 最大功耗: 800mW (Ta) 供应商设备包装: SC-70FL/MCPH3 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥3.47659 | 385 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3.47659 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A(Tc) 最大功耗: 48W (Tc) 供应商设备包装: TO-220F-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥21.80113 | 129 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥21.80113 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A(Ta) 最大功耗: 1W(Ta),15W(Tc) 供应商设备包装: IPAK/TP 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥8.11205 | 354 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8.11205 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 23A(Ta)、49A(Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta)、46W(Tc) 供应商设备包装: 8-PQFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥12.89236 | 7040 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12.89236 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.6A (Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta)、51W(Tc) 供应商设备包装: D-Pak 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥8.18448 | 346 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8.18448 | 添加到BOM 立即询价 | ||
N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥11.87836 | 47200 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,173.73915 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 13A(Tc) 最大功耗: 195W(Tc) 供应商设备包装: I2PAK (TO-262) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥22.01842 | 345 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥22.01842 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 170毫安(Ta) 最大功耗: 225毫瓦(Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥0.42950 | 2 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.42950 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 170毫安(Ta) 最大功耗: 360mW (Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥2.39016 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.39016 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 50 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 130毫安(Ta) 最大功耗: 225毫瓦(Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥0.33390 | 2635 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.33390 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A(Ta) 最大功耗: 2.4W(Ta) 供应商设备包装: 6-MicroFET (2x2) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥8.47419 | 787 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8.47419 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A(Ta) 最大功耗: 2.5W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥1.48914 | 2 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1.48914 | 立即购买 加入购物车 |