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品牌介绍

Vishay的产品组合是无可匹敌的分立半导体(二极管、MOSFET和光电子)和无源元件(电阻器、电感器和电容器)的集合。这些组件几乎用于工业、计算、汽车、消费者、电信、军事、航空航天和医疗市场的所有类型的电子设备和设备。Vishay很自豪能成为Digi Key的主要合作伙伴。

英文全称: Vishay Siliconix

中文全称: 黑森尔

英文简称: Vishay Siliconix

品牌地址: http://www.vishay.com/company/brands/siliconix/

久芯自营
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品牌型号
描述
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SQJ912AEP-T2_BE3
SQJ912AEP-T2_BE3
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8双 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥8.83634

0

5-7 工作日

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合计: ¥8.83634

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SI4569DY-T1-E3
SI4569DY-T1-E3
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.6A, 7.9A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥1,224.70196

9000

5-7 工作日

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合计: ¥1,224.70196

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SIZ904DT-T1-GE3
SIZ904DT-T1-GE3
场效应管类型: 2 N通道(半桥) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A、16A 供应商设备包装: 6-PowerPair 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥8.90877

0

5-7 工作日

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合计: ¥8.90877

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SIS932EDN-T1-GE3
SIS932EDN-T1-GE3
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A (Tc) 供应商设备包装: PowerPAK1212-8双 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥4.92517

0

5-7 工作日

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合计: ¥4.92517

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SI4618DY-T1-E3
SI4618DY-T1-E3
场效应管类型: 2 N通道(半桥) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A, 15.2A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥6.79384

9000

5-7 工作日

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合计: ¥6.79384

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SI4670DY-T1-GE3
SI4670DY-T1-GE3
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥4.06327

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5-7 工作日

- +

合计: ¥10,158.16750

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SI4804BDY-T1-E3
SI4804BDY-T1-E3
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.7A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥10.82089

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥10.82089

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SI7900AEDN-T1-GE3
SI7900AEDN-T1-GE3
场效应管类型: 2 N通道(双)公共漏极 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A 供应商设备包装: PowerPAK1212-8双 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥8.90877

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥8.90877

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SI4830ADY-T1-E3
SI4830ADY-T1-E3
场效应管类型: 2 N通道(半桥) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.7A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥11.24098

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥11.24098

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SQJB60EP-T2_GE3
SQJB60EP-T2_GE3
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8双 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥4.10151

0

5-7 工作日

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合计: ¥12,304.52700

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SIA537EDJ-T1-GE3
SIA537EDJ-T1-GE3
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 12伏、20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A 供应商设备包装: PowerPAKSC-70-6双 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥5.07003

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥5.07003

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SQ1912AEEH-T1_GE3
SQ1912AEEH-T1_GE3
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 800毫安 (Tc) 供应商设备包装: SC-70-6 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥3.69388

238

5-7 工作日

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合计: ¥3.69388

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SI4834BDY-T1-E3
SI4834BDY-T1-E3
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.7A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥7.54710

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥7.54710

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SI4906DY-T1-E3
SI4906DY-T1-E3
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.6A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥4.31677

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥4.31677

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SI4908DY-T1-E3
SI4908DY-T1-E3
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥11.25547

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥11.25547

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SI4910DY-T1-E3
SI4910DY-T1-E3
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.6A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥9.40128

9000

5-7 工作日

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合计: ¥9.40128

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SI4913DY-T1-E3
SI4913DY-T1-E3
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.1A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥7.93822

9000

5-7 工作日

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合计: ¥7.93822

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SIB900EDK-T1-GE3
SIB900EDK-T1-GE3
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.5A 供应商设备包装: PowerPAKSC-75-6L双 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥4.05602

514

5-7 工作日

- +

合计: ¥4.05602

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SI4914DY-T1-E3
SI4914DY-T1-E3
场效应管类型: 2 N通道(半桥) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.5A, 5.7A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥15.81849

9000

5-7 工作日

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合计: ¥15.81849

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SQ3987EV-T1_GE3
SQ3987EV-T1_GE3
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A (Tc) 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥4.70789

0

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合计: ¥4.70789

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