9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SIA511DJ-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SIA511DJ-T1-GE3参考价格为0.736美元。Vishay Siliconix SIA511DJ-T1-GE3封装/规格：MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6。您可以下载SIA511DJ-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SIA483DJ-T1-GE3是MOSFET P-CH 30V 12A SC70-6，包括TrenchFETR系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代封装，安装样式如数据表注释所示，用于SMD/SMT，提供PowerPAK TrenchFET等商标功能，封装盒设计用于PowerPAKR SC-70-6，以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件以1通道数量的通道提供，该器件具有PowerPAKR SC-70-6单一供应商器件封装，配置为单一，FET类型为MOSFET P通道、金属氧化物，最大功率为19W，晶体管类型为1 P通道，漏极到源极电压Vdss为30V，输入电容Ciss Vds为1550pF@15V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为12A（Tc），最大Id Vgs上的Rds为21mOhm@5A，10V，Vgs最大Id为2.2V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为45nC@10V，Pd功耗为19W，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围为-55℃，下降时间为20 ns，上升时间为60 ns，Id连续漏极电流为-12 A，Vds漏极-源极击穿电压为-30 V，Vgs栅极-源极阈值电压为-2.2 V，Rds漏极源极电阻为21 mΩ，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为25 ns，典型的导通延迟时间为37ns，Qg栅极电荷为45nC，正向跨导Min为23S。
SIA467EDJ-T1-GE3是MOSFET-12V.013Ohm@4.5V31A P-Ch G-III，包括-0.4 V至-1 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在8 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于-12 V，提供典型的开启延迟时间功能，如25 ns，典型的关闭延迟时间设计为90 ns，以及1 P沟道晶体管类型，该器件也可以用作P沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件在25 ns上升时间内提供，器件具有40 mOhms的Rds漏极-源极电阻，Qg栅极电荷为29 nC，Pd功耗为19 W，封装为卷轴，封装外壳为PowerPAK-SC-70-6，通道数为1通道，安装样式为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为-31A，正向跨导最小值为31S，下降时间为50ns，配置为单一。
带有电路图的SIA485DJ-T1-GE3，包括SMD/SMT安装样式，它们设计为与PowerPAK-SC-70-6封装盒一起工作，包装如数据表说明所示，用于卷筒，提供Si等技术特性。
