9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SIA950DJ-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SIA950DJ-T1-GE3参考价格77.022美元。Vishay Siliconix SIA950DJ-T1-GE3封装/规格：MOSFET 2N-CH 190V 0.95A SC-70-6。您可以下载SIA950DJ-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如SIA950DJ-T1-GE3价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
SIA931DJ-T1-GE3带有引脚细节，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作，安装样式如数据表注释所示，用于SMD/SMT，提供TrenchFET等商标功能，封装盒设计为在PowerPAKR SC-70-6 Dual以及Si技术中工作，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供2通道数量的通道，该器件具有PowerPAKR SC-70-6双供应商器件封装，配置为双，FET类型为2 P通道（双），最大功率为7.8W，晶体管类型为2 P-通道，漏极至源极电压Vdss为30V，输入电容Cis-Vds为445pF@15V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为4.5A，最大Id Vgs上的Rds为65mOhm@3A，10V，Vgs最大Id为2.2V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为13nC@10V，Pd功耗为7.8W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为5 ns，上升时间为18ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为4.5A，Vds漏极-源极击穿电压为-30V，Vgs第h栅极-源阈值电压为-2.2V，Rds导通漏极-漏极电阻为77mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为17ns，典型导通延迟时间为23ns，Qg栅极电荷为8.5nC，正向跨导Min为8S，信道模式为增强。
SIA929DJ-T1-GE3是MOSFET 2P-CH 30V 4.5A SC70-6，包括1.1V@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于12 V Vgs栅极-源极电压，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于-30 V，提供单位重量功能，如0.000988 oz，典型开启延迟时间设计为5 ns，该器件还可以用作2P沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为P沟道，该器件采用Si技术，该器件具有PowerPAKR SC-70-6双电源器件封装，系列为TrenchFETR，上升时间为10ns，Rds On Max Id Vgs为64mOhm@3A，10V，Rds On漏极-源极电阻为64m欧姆，Qg栅极电荷为14nC，功率最大值为7.8W，Pd功耗为7.8W，零件别名为SIA929DJ-GE3，封装为磁带和卷轴（TR），封装外壳为PowerPAKR SC-70-6 Dual，工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数为2通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，输入电容Ciss Vds为575pF@15V，Id连续漏电流为-4.5A，栅极电荷Qg Vgs为21nC@110V，正向跨导最小值为10S，FET类型为2P通道（双通道），FET特性为逻辑电平门，下降时间为10ns，漏极到源极电压Vdss为30V，电流连续漏极Id为25°C为4.5A，配置为双通道。
SIA936EDJ-T1-GE3是MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC-70，包括4.5A电流连续漏极Id 25°C，它们设计为在20V漏极到源极电压Vdss下工作，数据表注释中显示了用于逻辑电平门的FET特性，该逻辑电平门提供FET类型特性，如2 N信道（双），栅极电荷Qg Vgs设计为在17nC@10V下工作，它的工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，封装外壳为PowerPAKR SC-70-6 Dual，该设备采用Digi-ReelR封装，该设备最大功率为7.8W，Rds On Max Id Vgs为34mOhm@4A，4.5V，系列为TrenchFETR，供应商设备封装为PowerPAKR-SC-70-6 Dual，Vgs th Max Id为1.3V@250μa。
