9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SIA911DJ-T1-E3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SIA911DJ-T1-E3参考价格为0.944美元。Vishay Siliconix SIA911DJ-T1-E3封装/规格：MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6。您可以下载SIA911DJ-T1-E3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SIA911ADJ-T1-GE3是MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6，包括TrenchFETR系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）封装，数据表注释中显示了用于SIA911ADJ GE3的零件别名，该产品提供单位重量功能，如0.000988盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及PowerPAKR SC-70-6双封装外壳，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有2个通道数，供应商器件封装为PowerPAKR SC-70-6双通道，配置为双通道，FET类型为2个P通道（双通道），最大功率为6.5W，晶体管类型为2 P通道，漏极-源极电压Vdss为20V，输入电容Cis-Vds为345pF@10V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为4.5A，最大Id Vgs的Rds为116 mOhm@2.8A，4.5V，Vgs最大Id为1V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为13nC@8V，Pd功耗为6.5 W，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为10纳秒，上升时间为45纳秒，Vgs栅极-源极电压为8 V，Id连续漏极电流为4.5 A，Vds漏极-源极击穿电压为-20 V，Rds漏极源极电阻为165毫欧，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为20纳秒，典型接通延迟时间为15ns，正向跨导最小值为7S，信道模式为增强。
SIA911ADJ-T5-GE3，带有VISHAY制造的用户指南。SIA911ADJ-T5-GE3采用QFN封装，是IC芯片的一部分。
SIA911DJ，电路图由RCR制造。SIA911DJ在BGA封装中提供，是FET阵列的一部分。
