9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SIA914DJ-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SIA914DJ-T1-GE3参考价格为0.598美元。Vishay Siliconix SIA914DJ-T1-GE3封装/规格：MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6。您可以下载SIA914DJ-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SIA914ADJ-T1-GE3是MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6L，包括TrenchFETR系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000988盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于TrenchFET，以及PowerPAKR SC-70-6双包装箱，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有2个通道数，供应商器件封装为PowerPAKR SC-70-6双通道，配置为双通道，FET类型为2 N通道（双通道），最大功率为7.8W，晶体管类型为2 P通道，漏极-源极电压Vdss为20V，输入电容Cis-Vds为470pF@10V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为4.5A，最大Id Vgs的Rds为43 mOhm@3.7A，4.5V，Vgs最大Id为900mV@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为12.5nC@8V，Pd功耗为7.8W，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，下降时间为5 ns，上升时间为20 ns，Vgs栅极-源极电压为8 V，Id连续漏极电流为4.5 A，Vds漏极-源极击穿电压为20 V，Vgs第h栅极-源极端电压为0.9 V，Rds导通漏极-源极电阻为47mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为25ns，典型接通延迟时间为7ns，Qg栅极电荷为8.2nC，正向跨导最小值为18S，沟道模式为增强。
SIA914DJ-T1-E3是MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6，包括1V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为与PowerPAKR SC-70-6双供应商器件封装一起工作，系列如数据表说明所示，用于TrenchFETR，提供Rds on Max Id Vgs功能，如53 mOhm@3.7A，4.5V，Power Max设计为6.5W，以及Digi-ReelR封装，该器件也可以用作PowerPAKR SC-70-6双封装外壳，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装型，该器件具有400pF@10V的输入电容Cis-Vds，栅极电荷Qg-Vgs为11.5nC@8V，FET类型为2 N沟道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极-源极电压Vdss为20V，电流连续漏极Id 25°C为4.5A。
SIA913DJ-T1-GE3是MOSFET 2P-CH 12V 4.5A SC70-6，包括4.5A电流连续漏极Id 25°C，它们设计为在12V漏极到源极电压Vdss下工作，数据表中显示了用于标准的FET特性，该标准提供FET类型特性，如2 P通道（双），栅极电荷Qg Vgs设计为在12nC@8V下工作，除了400pF@6V输入电容Cis-Vds，该器件还可以用作表面安装型，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件采用PowerPAKR SC-70-6双封装外壳，该器件具有Digi-ReelR封装，功率最大值为6.5W，Rds On Max Id Vgs为70 mOhm@3.3A，4.5V，系列为TrenchFETR，供应商设备包为PowerPAKR SC-70-6 Dual，Vgs th Max Id为1V@250μA。
