9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SIA922EDJ-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SIA922EDJ-T1-GE3参考价格$62.052。Vishay Siliconix SIA922EDJ-T1-GE3封装/规格：MOSFET 2N-CH 30V 4.5A SC70-6。您可以下载SIA922EDJ-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SIA921EDJ-T1-GE3是MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了用于SIA921EDJ GE3的零件别名，该产品提供单位重量功能，如0.000988盎司，安装样式设计为在SMD/SMT以及PowerPAKR SC-70-6双封装外壳中工作，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有2个通道数，供应商器件封装为PowerPAKR SC-70-6双通道，配置为双通道，FET类型为2个P通道（双通道），最大功率为7.8W，晶体管类型为2 P通道，漏极到源极电压Vdss为20V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为4.5A，最大Id Vgs的Rds为59mOhm@3.6A，4.5V，Vgs最大Id为1.4V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为23nC@10V，Pd功耗为7.8W，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为10 ns，上升时间为12 ns，Vgs栅极-源极电压为12 V，Id连续漏极电流为-4.5 A，Vds漏极-源极击穿电压为-20 V，Vgs栅-源极阈值电压为-1.4 V，Rds漏极源极电阻为59 mΩ，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为25ns，典型接通延迟时间为5ns，Qg栅极电荷为4.9nC，正向跨导最小值为11S，信道模式为增强。
带有用户指南的SIA921EDJ-T4-GE3，包括1.4V@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于2 P沟道晶体管类型，晶体管极性显示在数据表注释中，用于P沟道，提供Si等技术特性，供应商设备包设计用于PowerPAKR SC-70-6 Dual以及TrenchFETR系列，该器件也可以用作59mOhm@3.6A、4.5V Rds On Max Id Vgs。此外，最大功率为7.8W，该设备采用磁带和卷轴（TR）封装，该设备具有PowerPAKR SC-70-6双封装外壳，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），信道数量为2信道，安装类型为表面安装，栅极电荷Qg Vgs为23nC@10V，FET类型为2 P信道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为20V，电流连续漏极Id 25°C为4.5A。
SIA921EDJ-T1/GE3，带有VISHAY制造的电路图。SIA921EDJ-T1/GE3采用QFN封装，是FET阵列的一部分。
