9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SIA906EDJ-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SIA906EDJ-T1-GE3参考价格为0.65000美元。Vishay Siliconix SIA906EDJ-T1-GE3封装/规格：MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6。您可以下载SIA906EDJ-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SIA817EDJ-T1-GE3是MOSFET P-CH 30V 4.5A SC-70-6，包括LITTLE FOOTR系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000988盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于PowerPAKR SC-70-6 Dual，以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有PowerPAKR SC-70-6双供应商器件封装，配置为单肖特基二极管，FET类型为MOSFET P通道、肖特基、金属氧化物，最大功率为6.5W，晶体管类型为1 P通道，漏极到源极电压Vdss为30V，输入电容Ciss Vds为600pF@15V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为4.5A（Tc），最大Id Vgs上的Rds为65mOhm@3A，10V，Vgs最大Id为1.3V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为23nC@10V，Pd功耗为6.5W，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为10 ns，上升时间为20 ns，Vgs栅极-源极电压为12 V，Id连续漏极电流为-4.5 A，Vds漏极-源极击穿电压为-30 V，Vgs栅-源极阈值电压为-0.6 V至-1.3 V，Rds漏极源极电阻为125 mOhms，并且晶体管极性是P沟道，并且典型关断延迟时间是23ns，并且典型接通延迟时间是20ns，并且Qg栅极电荷是6.6nC，并且正向跨导Min是9S。
SIA813DJ-T1-GE3是MOSFET P-CH 20V 4.5A SC70-6，包括8 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在-20 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000988盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如10 ns，典型的关闭延迟时间设计为40 ns，该器件也可以用作P沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件在35 ns上升时间内提供，该器件具有94 mOhms的Rds漏极-源极电阻，Pd功耗为2.3 W，零件别名为SIA813DJ-GE3，封装为卷筒，封装外壳为SC-70-6，通道数为1通道，安装样式为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，它的最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为3.6A，下降时间为50ns，配置为单肖特基二极管，通道模式为增强型。
SIA811DJ-T1-GE3是由SBDSEMI制造的MOSFET P-CH 20V 4.5A SC70-6。SIA811DJ-T1-GE3在PowerPAK®SC-70-6双封装中提供，是FET的一部分-单，并支持MOSFET P-CH 20V 4.5A SC70-6、P通道20V 4.5A（Tc）1.9W（Ta）、6.5W（Tc）表面安装PowerPAK？SC-70-6双。
