9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SIA910EDJ-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SIA910EDJ-T1-GE3参考价格为0.62000美元。Vishay Siliconix SIA910EDJ-T1-GE3封装/规格：MOSFET 2N-CH 12V 4.5A SC-70-6。您可以下载SIA910EDJ-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如SIA910EDJ-T1-GE3价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
SIA907EDJT-T1-GE3是MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC-70-6L，包括TrenchFETR系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）封装，数据表注释中显示了用于SIA907EDJ-GE3的零件别名，该产品提供单位重量功能，如0.000988盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及PowerPAKR SC-70-6双封装外壳，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有2个通道数，供应商器件封装为PowerPAKR SC-70-6双通道，配置为双通道，FET类型为2个P通道（双通道），最大功率为7.8W，晶体管类型为2 P通道，漏极到源极电压Vdss为20V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为4.5A，最大Id Vgs上的Rds为57 mOhm@3.6A，4.5V，Vgs最大Id为1.4V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为23nC@10V，Pd功耗为7.8W，下降时间为10ns，上升时间为10s，Vgs栅极-源极电压为12V，Id连续漏极电流为-4.5A，Vds漏极-源极击穿电压为-20V，Rds导通漏极-漏极电阻为57mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为30ns，典型接通延迟时间为5ns，Qg栅极电荷为15nC，正向跨导最小值为11S。
SIA906EDJ-T4-GE3，带有VISHAY制造的用户指南。SIA906EDJ-T4-GE3采用QFN封装，是IC芯片的一部分。
SIA907EDJT是Vishay制造的MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC-70-6L。SIA907EDJT采用PowerPAK®SC-70-6双封装，是FET阵列的一部分，支持MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC-70-6L。
