9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SIA437DJ-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SIA437DJ-T1-GE3参考价格为0.72000美元。Vishay Siliconix SIA437DJ-T1-GE3封装/规格：MOSFET P-CH 20V 29.7A PPAK SC70。您可以下载SIA437DJ-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SIA433EDJ-T1-GE3是MOSFET P-CH 20V 12A SC-70-6，包括TrenchFETR系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代封装，数据表注释中显示了用于SIA433EDJ GE3的零件别名，该产品提供SMD/SMT等安装样式功能，封装盒设计用于PowerPAKR SC-70-6以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有PowerPAKR SC-70-6单一供应商器件封装，配置为单一，FET类型为MOSFET P通道、金属氧化物，最大功率为19W，晶体管类型为1 P通道，漏极到源极电压Vdss为20V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为12A（Tc），最大Id Vgs的Rds为18 mOhm@7.6A，4.5V，Vgs的最大Id为1.2V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为75nC@8V，Pd功耗为19W，下降时间为3.2us，上升时间为1.7us，Vgs栅源电压为12V，Id连续漏极电流为-12A，Vds漏极-源极击穿电压为-20V，Vgs栅极-源极阈值电压为-1.2V，Rds导通漏极-漏极电阻为18m欧姆，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为6us，典型接通延迟时间为0.71us，Qg栅极电荷为50nC，正向跨导最小值为35S。
SIA436DJ-T1-GE3是MOSFET N-CH 8V 12A SC70-6L，包括800mV@250μA Vgs th Max Id，它们设计为在5V Vgs栅极-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于8V，提供晶体管类型功能，如1 N沟道，晶体管极性设计为在N沟道工作，以及Si技术，该设备也可以用作PowerPAKR SC-70-6单一供应商设备包。此外，该系列是TrenchFETR，该器件提供9.4mOhm@15.7A，4.5V Rds On Max Id Vgs，该器件具有36mOhm Rds On Drain Source电阻，最大功率为19W，Pd功耗为19W；零件别名为SIA436DJ-GE3，封装为Digi-ReelR Alternative Packaging，封装外壳为PowerPAKR SC-70-6，它的工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，输入电容Ciss Vds为1508pF@4V，Id连续漏电流为12A，栅极电荷Qg Vgs为25.2nC@5V，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，FET特性为标准，漏极到源极电压Vdss为8V，25°C的电流连续漏极Id为12A（Tc），配置为单一。
SIA433EDJ，带有VISHAY制造的电路图。SIA433EDJ以QFN封装形式提供，是FET的一部分-单个。
