9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SIA436DJ-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SIA436DJ-T1-GE3参考价格0.66000美元。Vishay Siliconix SIA436DJ-T1-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 8V 12A PPAK SC70-6。您可以下载SIA436DJ-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SIA432DJ-T1-GE3是MOSFET N-CH 30V 12A SC70-6，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了用于SIA432DJ-GE3的零件别名，该产品提供SMD/SMT等安装样式功能，封装盒设计为在PowerPAKR SC-70-6以及Si技术中工作，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件以1通道数量的通道提供，该器件具有PowerPAKR SC-70-6单供应商器件封装，配置为单四漏双源，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为19.2W，晶体管类型为1 N通道，漏极到源极电压Vdss为30V，输入电容Ciss Vds为800pF@15V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为12A（Tc），最大Id Vgs上的Rds为20 mOhm@6A，10V，Vgs最大Id为3V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为20nC@10V，Pd功耗为3.5W，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为10纳秒，上升时间为11纳秒，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为10.1 A，Vds漏极-源极击穿电压为30 V，Rds导通-漏极电阻为20毫欧，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为15纳秒，典型的开启延迟时间为15ns，信道模式为增强。
SIA433EDJ-T1-GE3是MOSFET P-CH 20V 12A SC-70-6，包括1.2V@250μA Vgs th Max Id，它们被设计为在-1.2 V Vgs th栅极-源极阈值电压下工作，Vgs栅极-源电压如数据表注释所示，用于12 V，提供Vds漏极-源极击穿电压特性，如-20 V，典型开启延迟时间设计为0.71 us，该器件还可以用作1P沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为P沟道，该器件采用Si技术，该器件具有PowerPAKR SC-70-6单一供应商器件封装，系列为TrenchFETR，上升时间为1.7us，Rds On Max Id Vgs为18mOhm@7.6A，4.5V，Rds On Drain Source Resistance为18mOhms，Qg Gate Charge为50nC，最大功率为19W，Pd功耗为19 W，零件别名为SIA433EDJ-GE3，封装为Digi-ReelR交替封装，封装外壳为PowerPAKR SC-70-6，工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，Id连续漏电流为-12A，栅极电荷Qg Vgs为75nC@8V，正向跨导Min为35S，FET类型为MOSFET P沟道，金属氧化物，FET特性为标准，下降时间为3.2us，漏极到源极电压Vdss为20V，电流连续漏极Id 25°C为12A（Tc），配置为单一。
SIA433EDJ，带有VISHAY制造的电路图。SIA433EDJ以QFN封装形式提供，是FET的一部分-单个。
