9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SIA449DJ-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SIA449DJ-T1-GE3参考价格为0.48000美元。Vishay Siliconix SIA449DJ-T1-GE3封装/规格：MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6。您可以下载SIA449DJ-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SiA449DJ-T1-GE3是MOSFET P-CH 30V 12A SC70-6，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作，安装样式如数据表注释所示，用于SMD/SMT，提供商标功能，如PowerPAK TrenchFET，封装盒设计为在PowerPAKR SC-70-6中工作，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件以1通道数量的通道提供，该器件具有PowerPAKR SC-70-6单一供应商器件封装，配置为单一，FET类型为MOSFET P通道、金属氧化物，最大功率为19W，晶体管类型为1 P通道，漏极到源极电压Vdss为30V，输入电容Ciss Vds为2140pF@15V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为12A（Tc），最大Id Vgs上的Rds为20 mOhm@6A，10V，Vgs最大Id为1.5V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为72nC@10V，Pd功耗为19 W，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围为-55℃，下降时间为16 ns，上升时间为20 ns，Id连续漏极电流为-12 A，Vds漏极-源极击穿电压为-30 V，Vgs栅极-源极阈值电压为-1.5 V，Rds漏极源极电阻为20 mΩ，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为39 ns，典型的导通延迟时间为8ns，Qg栅极电荷为72nC，正向跨导Min为31S。
SIA448DJ-T1-GE3是MOSFET N-CH 20V 12A SC70-6L，包括1V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为在20 V Vds漏极-源极击穿电压下工作。数据表注释中显示了用于2 N沟道的晶体管类型，提供晶体管极性特性，如N沟道，以及PowerPAKR SC-70-6单供应商设备包，该设备也可以用作TrenchFETR系列。此外，Rds On Max Id Vgs为15 mOhm@12.4A，4.5V，器件提供15 mOhms Rds On Drain Source电阻，器件最大功率为19.2W，Pd功耗为19.2 W，零件别名为SIA448DJ-GE3，封装为Digi-ReelR交替封装，封装外壳为PowerPAKR SC-70-6，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数为2通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，输入电容Cis-Vds为1380pF@1V，Id连续漏极电流为12A，栅极电荷Qg-Vgs为35nC@8V，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，FET特性为标准，漏极到源极电压Vdss为20V，25°C的电流连续漏极Id为12A（Tc），配置为双通道，通道模式为增强型。
SIA447DJ-T1-GE3是MOSFET P-CH 12V 12A SC-70-6L，包括单一配置，它们设计为在50 ns下降时间下工作，数据表注释中显示了35 S中使用的正向跨导最小值，提供Id连续漏极电流功能，例如-12A，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该器件也可以用作SMD/SMT安装样式。此外，信道数为1信道，该器件采用PowerPAK-SC-70-6封装盒，该器件具有一个封装卷，部件别名为SIA447DJ-GE3，Pd功耗为19 W，Qg栅极电荷为80 nC，漏极电阻Rds为13.5 mOhms，上升时间为60 ns，系列为SIA4xxDJ，技术为Si，晶体管极性为P沟道，晶体管类型为1P沟道，典型关断延迟时间为120ns，典型接通延迟时间为60ns，Vds漏极-源极击穿电压为-12V，Vgs栅源极电压为-850mV，Vgsth栅源极阈值电压为-0.85V。
SIA446DJ-T1-GE3是MOSFET 150V.177ohm@10V7.7A N-CH，包括ThunderFET TrenchFET商品名，它们设计用于SMD/SMT安装方式，配置如数据表注释所示，用于Single，提供SIA4xxDJ等系列功能，技术设计用于Si，以及卷筒包装，该设备也可以用作PowerPAK-SC-70-6封装盒。此外，晶体管极性为N沟道，器件提供7.7 A Id的连续漏极电流，器件具有6 S的正向跨导最小值，Qg栅极电荷为5.3 nC，典型开启延迟时间为5 ns，Vgs栅极-源极阈值电压为3.5 V，Vgs栅-源极电压为20 V，Pd功耗为19 W，Rds漏极-源极电阻为165毫欧，Vds漏极源极击穿电压为150伏，上升时间为13纳秒，下降时间为10纳秒，典型关断延迟时间为10 ns，晶体管类型为1 N沟道，沟道数为1沟道，其最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃。
