9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SIA413ADJ-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SIA413ADJ-T1-GE3参考价格为0.97000美元。Vishay Siliconix SIA413ADJ-T1-GE3封装/规格：MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6。您可以下载SIA413ADJ-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SIA400EDJ-T1-GE3是MOSFET N-CH 30V 12A SC-70，包括卷筒封装，它们设计为与SIA400EDJ GE3零件别名一起工作，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供封装盒功能，如PowerPAK-SC-70-6，技术设计为在Si中工作，该设备也可以用作单一配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供19.2 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vgs栅极-源极电压为12 V，Id连续漏极电流为12 A，Vds漏极-源极击穿电压为30 V，Rds漏极源极电阻为19 mOhms，并且晶体管极性是N沟道。
SIA401DJ-T1-E3，带有GP/VISHAY制造的用户指南。SIA401DJ-T1-E3采用DFN-6封装，是IC芯片的一部分。
SIA402DJ-T1-E3，电路图由GP/VISHAY制造。SIA402DJ-T1-E3采用DFN-6封装，是IC芯片的一部分。
SIA411DJ-T1-E3是由VISHAY/SILICONIX制造的MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6。SIA411DJ-T1-E3在PowerPAK®SC-70-6封装中提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6、P沟道20V 12A（Tc）3.5W（Ta）、19W（Tc）表面安装PowerPAK？SC-70-6单跨MOSFET P-CH 20V 8.8A 6引脚PowerPAK SC-70 EP T/R。
