9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SIA447DJ-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SIA447DJ-T1-GE3参考价格为0.51000美元。Vishay Siliconix SIA447DJ-T1-GE3封装/规格：MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6。您可以下载SIA447DJ-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SIA445EDJ-T1-GE3是MOSFET P-CH 20V 12A SC-70，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了用于SIA445EDJ-GE3的零件别名，该产品提供SMD/SMT等安装样式功能，封装盒设计为在PowerPAKR SC-70-6以及Si技术中工作，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件以1通道数量的通道提供，该器件具有PowerPAKR SC-70-6单一供应商器件封装，配置为单一，FET类型为MOSFET P通道，金属氧化物，功率最大值为19W，晶体管类型为1 P通道，漏极到源极电压Vdss为20V，输入电容Ciss Vds为2130pF@10V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为12A（Tc），最大Id Vgs上的Rds为16.5 mOhm@7A，4.5V，Vgs最大Id为1.2V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为72nC@10V、Pd功耗为19W，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，Id连续漏极电流为-12 A，Vds漏极-源极击穿电压为-20 V，Rds漏极源极电阻为16.5 mOhm，晶体管极性为P沟道，Qg栅极电荷为23 nC。
SIA446DJ-T1-GE3是MOSFET 150V.177ohm@10V7.7A N-CH，包括3.5V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在20V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于150V，提供典型的开启延迟时间特性，如5ns，典型的关闭延迟时间设计为10ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为ThunderFET TrenchFET，该器件采用Si技术，该器件具有SIA4xxDJ系列，上升时间为13ns，漏极源极电阻Rds为165mOhms，Qg栅极电荷为5.3nC，Pd功耗为19W，封装为卷轴，封装盒为PowerPAK-SC-70-6，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，Id连续漏极电流为7.7 A，正向跨导最小值为6 S，下降时间为10 ns，配置为单一。
SIA443DJ T1-GE3是由VISHAY制造的MOSFET P-CH 20V 9A SC70-6。SIA443DJ T1-GE3以PowerPAK®SC-70-6封装形式提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET P-CH 20V 9A SC70-6、P沟道20V 9A（Tc）3.3W（Ta）、15W（Tc）表面贴装PowerPAK？SC-70-6单跨MOSFET P-CH 20V 6.7A 6引脚PowerPAK SC-70 T/R。
