9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SIA416DJ-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SIA416DJ-T1-GE3参考价格为0.74000美元。Vishay Siliconix SIA416DJ-T1-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 100V 11.3A PPAK。您可以下载SIA416DJ-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SIA415DJ-T1-GE3是MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了用于SIA415DJ-GE3的零件别名，该产品提供了SMD/SMT等安装样式功能，封装盒设计为在PowerPAKR SC-70-6以及Si技术中工作，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件以1通道数量的通道提供，该器件具有PowerPAKR SC-70-6单一供应商器件封装，配置为单一，FET类型为MOSFET P通道，金属氧化物，功率最大值为19W，晶体管类型为1 P通道，漏极到源极电压Vdss为20V，输入电容Ciss Vds为1250pF@10V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为12A（Tc），最大Id Vgs上的Rds为35mOhm@5.6A，4.5V，Vgs最大Id为1.5V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为47nC@10V、Pd功耗为19W，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为20纳秒，上升时间为50纳秒，Vgs栅极-源极电压为12 V，Id连续漏极电流为12 A，Vds漏极-源极击穿电压为-20 V，Rds导通漏极-漏极电阻为35毫欧，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为45纳秒，典型的接通延迟时间为25ns，正向跨导最小值为20S，信道模式为增强。
SIA414DJ-T1-GE3是MOSFET N-CH 8V 12A SC70-6，包括800mV@250μA Vgs th Max Id，它们设计为在5V Vgs栅极-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于8V，提供典型的开启延迟时间功能，如12ns，典型的关闭延迟时间设计为65ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件采用PowerPAKR SC-70-6单供应商器件封装，该器件具有串联的TrenchFETR，上升时间为10ns，Rds On Max Id Vgs为11mOhm@9.7A，4.5V，Rds On Drain Source Resistance为11m欧姆，功率最大值为19W，Pd功耗为3.5W，零件别名为SIA414DJ-GE3，包装为Digi-ReelR交替包装，包装箱为PowerPAKR SC-70-6，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数量为1个通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，其最小工作温度范围是-55°C，最大工作温度范围+150°C，输入电容Ciss Vds为1800pF@4V，Id连续漏极电流为12A，栅极电荷Qg Vgs为32nC@5V，正向跨导最小值为50S，FET类型为MOSFET N沟道，金属氧化物，FET特性为标准，下降时间为20ns，漏极到源极电压Vdss为8V，电流连续漏极Id 25°C为12A（Tc），并且配置为单一，信道模式为增强。
SIA414DJ-TI-E3，带有VISHAY制造的电路图。SIA414DJ-TI-E3采用QFN封装，是IC芯片的一部分。
