9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SIA414DJ-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SIA414DJ-T1-GE3参考价格为0.98000美元。Vishay Siliconix SIA414DJ-T1-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 8V 12A PPAK SC70-6。您可以下载SIA414DJ-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SIA413DJ-T1-GE3是MOSFET P-CH 12V 12A SC70-6，包括SIA4xxDJ系列，它们设计用于卷筒包装，零件别名显示在SIA413DJ-GE3中使用的数据表注释中，该产品提供SMD/SMT等安装样式功能，封装盒设计用于PowerPAK-SC-70-6以及Si技术，该设备也可以用作1通道数的通道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 P沟道晶体管类型，该器件具有3.5W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为40 ns，上升时间为40纳秒，Vgs栅极-源极电压为8 V，Id连续漏极电流为10 a，Vds漏极-源极击穿电压为-12V，Rds导通漏极-漏极电阻为29mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为70ns，典型接通延迟时间为20ns，正向跨导最小值为30S，沟道模式为增强。
SIA413DJ-T1-E3，带有VISHAY制造的用户指南。SIA413DJ-T1-E3采用SC70封装，是IC芯片的一部分。
SIA413DJ-T4-GE3，带有VISHAY制造的电路图。SIA413DJ-T4-GE3采用QFN6L封装，是IC芯片的一部分。
