9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SIA445EDJT-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SIA445EDJT-T1-GE3参考价格为0.51000美元。Vishay Siliconix SIA445EDJT-T1-GE3封装/规格：MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6。您可以下载SIA445EDJT-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SIA437DJ-T1-GE3是MOSFET P-CH 20V 29.7A SC70-6，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作，安装方式如数据表说明所示，用于SMD/SMT，提供封装盒功能，如PowerPAKR SC-70-6，技术设计为在Si中工作，其工作温度范围为-50°C~150°C（TJ），该装置也可以用作表面安装型。此外，供应商的设备包为PowerPAKR SC-70-6 Single，该设备采用MOSFET P沟道、金属氧化物FET类型，该设备最大功率为19W，漏极到源极电压Vdss为20V，输入电容Ciss Vds为2340pF@10V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为29.7A（Tc），最大Id Vgs为14.5 mOhm@8A，4.5V，Vgs的最大Id为900mV@250μA，栅极电荷Qg Vgs为90nC@8V，Pd功耗为3.5W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-50 C，下降时间为37 ns，上升时间为22 ns，Id连续漏电流为-12.6 A，Vds漏极-源极击穿电压为-20 V，Vgsth栅极-源极阈值电压为-0.9V，Rds导通漏极-源极电阻为14.5mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为100ns，典型接通延迟时间为20ns，Qg栅极电荷为60nC，正向跨导最小值为32S，沟道模式为增强。
SIA438EDJ-T1-GE3是MOSFET 20V 6.0A 11.4W 46mohm@4.5V，包括12 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在20 V Vds漏极-源极击穿电压下工作。典型的开启延迟时间显示在数据表注释中，用于10 ns 5 ns，提供典型的关闭延迟时间功能，如18 ns 15 ns，晶体管类型设计为在1个P通道中工作，该器件还可以用作Si技术。此外，上升时间为12 ns，器件的漏极-源极电阻为46 mOhms Rds，器件具有2.4 W的Pd功耗，部件别名为SIA438EDJ-GE3，封装为卷轴式，封装盒为PowerPAK-SC-70-6，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为5.7 A，下降时间为12 ns 10 ns，配置为单四漏三源，通道模式为增强型。
SIA443DJ T1-GE3是由VISHAY制造的MOSFET P-CH 20V 9A SC70-6。SIA443DJ T1-GE3以PowerPAK®SC-70-6封装形式提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET P-CH 20V 9A SC70-6、P沟道20V 9A（Tc）3.3W（Ta）、15W（Tc）表面贴装PowerPAK？SC-70-6单跨MOSFET P-CH 20V 6.7A 6引脚PowerPAK SC-70 T/R。
