9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SIA810DJ-T1-E3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SIA810DJ-T1-E3价格参考2.322美元。Vishay Siliconix SIA810DJ-T1-E3封装/规格：MOSFET N-CH 20V 4.5A PPAK SC70-6。您可以下载SIA810DJ-T1-E3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SIA537EDJ-T1-GE3带有引脚细节，包括TrenchFETR系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000988盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于TrenchFET，以及PowerPAKR SC-70-6双包装箱，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有2个通道数，供应商设备包为PowerPAKR SC-70-6 Dual，配置为1个N通道1个P通道，FET类型为N和P通道，最大功率为7.8W，晶体管类型为1 N沟道1 P沟道，漏极-源极电压Vdss为12V、20V，输入电容Cis-Vds为455pF@6V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为4.5A，最大Id Vgs的Rds为28mOhm@5.2A、4.5V，Vgs最大Id为1V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为16nC@8V，Pd功耗为7.8W，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，下降时间为12 ns 10 ns，上升时间为12 ns15 ns，Vgs栅极-源极电压为8 V，Id连续漏极电流为4.5 A，Vds漏极-源极击穿电压为12 V-20 V，Vgs第栅极-源阈值电压为1 V，Rds导通漏极-源极电阻为75m欧姆，晶体管极性为N沟道P沟道，典型关断延迟时间为25ns 30ns，典型接通延迟时间为10ns 15ns，Qg栅极电荷为10.5nC 16.3nC，正向跨导Min为23S。
SIA533EDJ-T1-GE3是MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6，包括1V@250μA Vgs th Max Id，设计用于12 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000988盎司，提供晶体管类型功能，如1 N通道1 P通道，晶体管极性设计用于N通道P通道，该器件也可以用作PowerPAKR SC-70-6双供应商器件封装。此外，该系列是TrenchFETR，该器件在最大Id Vgs时为34 mOhm@4.6A，4.5V Rds，该器件具有28 mOhm 48 mOhm Rds漏极-源极电阻，Qg栅极电荷为10 nC 13 nC，功率最大值为7.8W，Pd功耗为7.8W。部件别名为SIA533EDJ-GE3，封装为Digi-ReelR交替封装，封装外壳为PowerPAKR SC-70-6 Dual，工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数为2通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，最小工作温度范围-55 C，最大工作温度范围+150 C，输入电容Cis-Vds为420pF@6V，Id连续漏极电流为4.5 A-3.7 A，栅极电荷Qg Vgs为15nC@10V，正向跨导最小值为11 S 21 S，FET类型为N和P沟道，FET特性为逻辑电平门，漏极至源极电压Vdss为12V，电流连续漏极Id 25°C为4.5A，配置为单一。
带有电路图的SIA778DJ-T1-GE3，包括4.5A、1.5A电流连续漏极Id 25°C，它们设计为在12V、20V漏极到源极电压Vdss下工作。数据表注释中显示了用于逻辑电平门的FET特性，该逻辑电平门提供FET类型特性，如2 N通道（双），栅极电荷Qg Vgs设计为在15nC@8V下工作，以及500pF@6V输入电容Cis-Vds，该器件也可以用作表面安装型。此外，信道数量为2信道，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），设备具有PowerPAKR SC-70-6双封装外壳，封装为Digi-ReelR交替封装，最大功率为6.5W、5W，Rds On Max Id Vgs为29mOhm@5A、4.5V，系列为TrenchFETR，供应商设备封装为PowerPAKR SC 70-6双，技术为Si，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为2N沟道，Vgs最大Id为1V@250μA。
SIA777EDJ-T1-GE3，带有EDA/CAD型号，包括TrenchFETR系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）封装，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，提供封装盒功能，如PowerPAKR SC-70-6 Dual，供应商设备包设计用于PowerPAKR SC 70-6 Dual-以及N和P通道FET类型，该器件也可以用作逻辑电平门FET特征。此外，功率最大值为5W，7.8W，工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），器件在1.6A时具有225 mOhm，最大Id Vgs上的Rds为4.5V，漏极到源极电压Vdss为20V，12V，栅极电荷Qg Vgs为2.2nC@5V，Vgs最大Id为1V@250μa，25°C时的电流连续漏极Id为1.5A，4.5A。
