9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SIA811DJ-T1-E3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SIA811DJ-T1-E3价格参考3.886美元。Vishay Siliconix SIA811DJ-T1-E3封装/规格：MOSFET P-CH 20V 4.5A PPAK SC70-6。您可以下载SIA811DJ-T1-E3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SIA811ADJ-T1-GE3是MOSFET P-CH 20V 4.5A PPAK SC70-6，包括卷筒包装，它们设计用于与SIA811ADJ GE3零件别名一起工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000988盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于SC-70-6，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单肖特基二极管，该器件为1 P沟道晶体管型，该器件具有6.5 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为10 ns，上升时间为45 ns，Vgs栅源电压为8 V，Id连续漏极电流为-4.5A，Vds漏极-源极击穿电压为-20V，Rds导通漏极-漏极电阻为165mOhms，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为20ns，典型接通延迟时间为15ns，正向跨导最小值为7S，沟道模式为增强。
带有用户指南的SIA778DJ-T1-GE3，包括1V@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于2 N沟道晶体管类型，晶体管极性显示在数据表注释中，用于N沟道，提供Si等技术特性，供应商设备包设计用于PowerPAKR SC-70-6 Dual以及TrenchFETR系列，该器件也可以用作29mOhm@5A、4.5V Rds On Max Id Vgs。此外，最大功率为6.5W，5W，该器件采用Digi-ReelR交替封装封装，该器件具有PowerPAKR SC-70-6双封装外壳，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数为2通道，安装类型为表面安装，输入电容Cis-Vds为500pF@6V，栅极电荷Qg-Vgs为15nC@8V，FET类型为2 N沟道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为12V、20V，25°C的电流连续漏极Id为4.5A、1.5A。
SIA811DJ-T1，带有VISHAY制造的电路图。SIA811DJ-T1采用XX封装，是FET的一部分-单个。
