9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SIA443DJ-T1-GE3,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。SIA443DJ-T1-GE3参考价格为0.692美元。Vishay Siliconix SIA443DJ T1-GE3封装/规格:MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC70-6。您可以下载SIA443DJ-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的,您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系,例如SIA443DJ-T1-GE3价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系,并为您提供优质服务。
SIA437DJ-T1-GE3是MOSFET P-CH 20V 29.7A SC70-6,包括TrenchFETR系列,它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作,安装方式如数据表说明所示,用于SMD/SMT,提供封装盒功能,如PowerPAKR SC-70-6,技术设计为在Si中工作,其工作温度范围为-50°C~150°C(TJ),该装置也可以用作表面安装型。此外,供应商的设备包为PowerPAKR SC-70-6 Single,该设备采用MOSFET P沟道、金属氧化物FET类型,该设备最大功率为19W,漏极到源极电压Vdss为20V,输入电容Ciss Vds为2340pF@10V,FET特性为标准,25°C的电流连续漏极Id为29.7A(Tc),最大Id Vgs为14.5 mOhm@8A,4.5V,Vgs的最大Id为900mV@250μA,栅极电荷Qg Vgs为90nC@8V,Pd功耗为3.5W,最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-50 C,下降时间为37 ns,上升时间为22 ns,Id连续漏电流为-12.6 A,Vds漏极-源极击穿电压为-20 V,Vgsth栅极-源极阈值电压为-0.9V,Rds导通漏极-源极电阻为14.5mOhm,晶体管极性为P沟道,典型关断延迟时间为100ns,典型接通延迟时间为20ns,Qg栅极电荷为60nC,正向跨导最小值为32S,沟道模式为增强。
SIA436DJ-T1-GE3是MOSFET N-CH 8V 12A SC70-6L,包括800mV@250μA Vgs th Max Id,它们设计为在5V Vgs栅极-源极电压下工作,Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示,用于8V,提供晶体管类型功能,如1 N沟道,晶体管极性设计为在N沟道工作,以及Si技术,该设备也可以用作PowerPAKR SC-70-6单一供应商设备包。此外,该系列是TrenchFETR,该器件提供9.4mOhm@15.7A,4.5V Rds On Max Id Vgs,该器件具有36mOhm Rds On Drain Source电阻,最大功率为19W,Pd功耗为19W;零件别名为SIA436DJ-GE3,封装为Digi-ReelR Alternative Packaging,封装外壳为PowerPAKR SC-70-6,它的工作温度范围为-55°C~150°C(TJ),通道数为1通道,安装类型为SMD/SMT,安装类型是表面安装,输入电容Ciss Vds为1508pF@4V,Id连续漏电流为12A,栅极电荷Qg Vgs为25.2nC@5V,FET类型为MOSFET N通道,金属氧化物,FET特性为标准,漏极到源极电压Vdss为8V,25°C的电流连续漏极Id为12A(Tc),配置为单一。
SIA438EDJ-T1-GE3是MOSFET 20V 6.0A 11.4W 46mohm@4.5V,包括增强通道模式,它们设计用于单四漏三源配置,下降时间显示在数据表注释中,用于12 ns 10 ns,提供Id连续漏电流功能,如5.7 a,其最大工作温度范围为+150 C,它的最低工作温度范围为-55℃,该器件也可以用作SMD/SMT安装型。此外,信道数为1信道,该器件采用PowerPAK-SC-70-6封装盒,该器件具有一个封装卷,部件别名为SIA438EDJ-GE3,Pd功耗为2.4W,Rds漏极-源极电阻为46mOhm,上升时间为12ns,技术为Si,晶体管极性为P信道,晶体管类型为1P信道,并且典型的关断延迟时间为18ns 15ns,典型的接通延迟时间为10ns 5ns,Vds漏极-源极击穿电压为20V,Vgs栅极-源极电压为12V。