9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SIA415DJ-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SIA415DJ-T1-GE3参考价格$4.22。Vishay Siliconix SIA415DJ-T1-GE3封装/规格：MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6。您可以下载SIA415DJ-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SIA414DJ-T1-GE3是MOSFET N-CH 8V 12A SC70-6，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了用于SIA414DJ-GE3的零件别名，该产品提供SMD/SMT等安装样式功能，封装盒设计为在PowerPAKR SC-70-6以及Si技术中工作，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件以1通道数量的通道提供，该器件具有PowerPAKR SC-70-6单一供应商器件封装，配置为单一，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为19W，晶体管类型为1 N通道，漏极到源极电压Vdss为8V，输入电容Ciss Vds为1800pF@4V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为12A（Tc），最大Id Vgs上的Rds为11mOhm@9.7A，4.5V，Vgs最大Id为800mV@250μA，栅极电荷Qg Vgs为32nC@5V，Pd功耗为3.5W，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为20纳秒，上升时间为10纳秒，Vgs栅极-源极电压为5 V，Id连续漏极电流为12 A，Vds漏极-源极击穿电压为8 V，Rds导通-漏极电阻为11毫欧，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为65纳秒，典型的接通延迟时间为12ns，正向跨导最小值为50S，信道模式为增强。
SIA413DJ-T4-GE3，带有VISHAY制造的用户指南。SIA413DJ-T4-GE3采用QFN6L封装，是IC芯片的一部分。
SIA414DJ-TI-E3，带有VISHAY制造的电路图。SIA414DJ-TI-E3采用QFN封装，是IC芯片的一部分。
