9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SIA419DJ-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SIA419DJ-T1-GE3参考价格为19.294美元。Vishay Siliconix SIA419DJ-T1-GE3封装/规格：MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6。您可以下载SIA419DJ-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SIA416DJ-T1-GE3是MOSFET N-CH 100V 11.3A SC70-6L，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作，安装样式如数据表注释所示，用于SMD/SMT，提供ThunderFET TrenchFET等商标功能，封装盒设计为在PowerPAKR SC-70-6以及Si技术中工作，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件以1通道数量的通道提供，该器件具有PowerPAKR SC-70-6单一供应商器件封装，配置为单一，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为19W，晶体管类型为1 N通道，漏极到源极电压Vdss为100V，输入电容Ciss Vds为295pF@50V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为11.3A（Tc），最大Id Vgs上的Rds为83 mOhm@3.2A，10V，Vgs最大Id为3V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为10nC@10V，Pd功耗为19 W，Vgs栅源电压为3 V，Id连续漏极电流为11.3 A，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Vgs栅极-源极阈值电压为3V，Rds漏极源极导通电阻为83mOhm，晶体管极性为N沟道，Qg栅极电荷为3.5nC。
SIA417DJ，带有VISHAY制造的用户指南。SIA417DJ采用SOT-363封装，是FET的一部分-单个。
SIA417DJ-T1-GE3是由VISHAY制造的MOSFET P-CH 8V 12A SC70-6。SIA417DJ-T1-GE3在PowerPAK®SC-70-6封装中提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET P-CH 8V 12A SC70-6、P沟道8V 12A（Tc）3.5W（Ta）、19W（Tc）表面安装PowerPAK？SC-70-6单跨MOSFET P-CH 8V 12A 6引脚PowerPAK SC-70 T/R。
