9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SIA426DJ-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SIA426DJ-T1-GE3参考价格为11.596美元。Vishay Siliconix SIA426DJ-T1-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 20V 4.5A PPAK SC70-6。您可以下载SIA426DJ-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SIA421DJ-T1-GE3是MOSFET P-CH 30V 12A SC70-6，包括SIA4xxDJ系列，它们设计为与卷筒包装一起工作，数据表注释中显示了用于SIA421DJ-GE3的部件别名，该产品提供了SMD/SMT等安装样式功能，封装盒设计为在PowerPAK-SC-70-6以及Si技术中工作，该设备还可以用作1通道数的通道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 P沟道晶体管类型，该器件具有3.5W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为12 ns，上升时间为110 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为7.9 a，Vds漏极-源极击穿电压为-30 V，Rds导通漏极-漏极电阻为35 mOhms，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为30 ns，典型接通延迟时间为40 ns，正向跨导最小值为15 S，沟道模式为增强。
SIA425EDJ-T1-GE3是MOSFET P-CH 20V 4.5A SC-70-6，包括12 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在-20 V Vds漏极-源极击穿电压下工作。数据表中显示了用于P沟道的晶体管极性，该沟道提供Si、Rds漏极源极电阻等技术特性，设计为工作在60 mOhms，以及15.6 W Pd功耗，该设备也可以用作SIA425EDJ-GE3零件别名。此外，包装为卷轴式，该器件采用PowerPAK-SC-70-6封装盒，该器件具有安装式SMD/SMT，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为-4.5 a。
SIA426DJ，带有VISHAY制造的电路图。SIA426DJ采用PowerPAK-SC-70-6L-单封装，是FET-单封装的一部分。
