9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SIA814DJ-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SIA814DJ-T1-GE3参考价格为5.722美元。Vishay Siliconix SIA814DJ-T1-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 30V 4.5A PPAK SC70-6。您可以下载SIA814DJ-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SIA813DJ-T1-GE3是MOSFET P-CH 20V 4.5A SC70-6，包括卷筒封装，它们设计用于与SIA813DJ-GE3部件别名一起工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000988盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于SC-70-6以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单肖特基二极管，该器件为1 P沟道晶体管型，该器件具有2.3 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为50 ns，上升时间为35 ns，Vgs栅源电压为8 V，Id连续漏极电流为3.6A，Vds漏极-源极击穿电压为-20V，Rds导通漏极-电源电阻为94mOhms，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为40ns，典型接通延迟时间为10ns，沟道模式为增强。
SIA811DJ-T1，带有VISHAY制造的用户指南。SIA811DJ-T1采用XX封装，是FET的一部分-单个。
SIA811DJ-T1-E3是由VISHAY制造的MOSFET P-CH 20V 4.5A SC70-6。SIA811DJ-T1-E3在PowerPAK®SC-70-6双封装中提供，是FET的一部分-单，并支持MOSFET P-CH 20V 4.5A SC70-6、P通道20V 4.5A（Tc）1.9W（Ta）、6.5W（Tc）表面安装PowerPAK？SC-70-6双。
SIA811DJ-T1-GE3是由SBDSEMI制造的MOSFET P-CH 20V 4.5A SC70-6。SIA811DJ-T1-GE3在PowerPAK®SC-70-6双封装中提供，是FET的一部分-单，并支持MOSFET P-CH 20V 4.5A SC70-6、P通道20V 4.5A（Tc）1.9W（Ta）、6.5W（Tc）表面安装PowerPAK？SC-70-6双。
