9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SIA418DJ-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SIA418DJ-T1-GE3参考价格为0.956美元。Vishay Siliconix SIA418DJ T1-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6。您可以下载SIA418DJ-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如SIA418DJ-T1-GE3价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
SIA415DJ-T1-GE3是MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了用于SIA415DJ-GE3的零件别名，该产品提供了SMD/SMT等安装样式功能，封装盒设计为在PowerPAKR SC-70-6以及Si技术中工作，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件以1通道数量的通道提供，该器件具有PowerPAKR SC-70-6单一供应商器件封装，配置为单一，FET类型为MOSFET P通道，金属氧化物，功率最大值为19W，晶体管类型为1 P通道，漏极到源极电压Vdss为20V，输入电容Ciss Vds为1250pF@10V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为12A（Tc），最大Id Vgs上的Rds为35mOhm@5.6A，4.5V，Vgs最大Id为1.5V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为47nC@10V、Pd功耗为19W，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为20纳秒，上升时间为50纳秒，Vgs栅极-源极电压为12 V，Id连续漏极电流为12 A，Vds漏极-源极击穿电压为-20 V，Rds导通漏极-漏极电阻为35毫欧，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为45纳秒，典型的接通延迟时间为25ns，正向跨导最小值为20S，信道模式为增强。
SIA416DJ-T1-GE3是MOSFET N-CH 100V 11.3A SC70-6L，包括3V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为在3 V Vgs th栅极-源极阈值电压下工作，Vgs栅极-源电压显示在数据表注释中，用于3 V，提供Vds漏极-源极击穿电压功能，如100 V，晶体管类型设计为在1 N通道中工作，该器件还可以用作ThunderFET TrenchFET商品名。此外，该技术为Si，该器件采用PowerPAKR SC-70-6单供应商器件封装，该器件具有系列TrenchFETR，Rds On Max Id Vgs为83 mOhm@3.2A，10V，漏极-源极电阻Rds为83 mOhm，Qg栅极电荷为3.5 nC，功率最大值为19W，Pd功耗为19 W，封装为Digi-ReelR交替封装，封装外壳为PowerPAKR SC-70-6，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，输入电容Ciss Vds为295pF@50V，Id连续漏极电流为11.3A，栅极电荷Qg Vgs为10nC@10V，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，FET特性为标准，漏极到源极电压Vdss为100V，25°C的电流连续漏极Id为11.3A（Tc），配置为单一。
SIA417DJ，带有VISHAY制造的电路图。SIA417DJ采用SOT-363封装，是FET的一部分-单个。
SIA417DJ-T1-GE3是由VISHAY制造的MOSFET P-CH 8V 12A SC70-6。SIA417DJ-T1-GE3在PowerPAK®SC-70-6封装中提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET P-CH 8V 12A SC70-6、P沟道8V 12A（Tc）3.5W（Ta）、19W（Tc）表面安装PowerPAK？SC-70-6单跨MOSFET P-CH 8V 12A 6引脚PowerPAK SC-70 T/R。
