场效应晶体管 (FET) 是利用电场控制电流的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极晶体管,因为它们涉及单载流子类型操作。也就是说,FET 在其工作中使用电子或空穴作为电荷载流子,但不能同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下表现出非常高的输入阻抗。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 75V 漏源电流 (Id) @ 温度: 65A 供应商设备包装: EPM15 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥48.09286 | 1404 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,212.27138 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Tc) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥11.80593 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥11.80593 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8双 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥8.32934 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8.32934 | 添加到BOM 立即询价 | ||
CSD86356Q5D 25V, NCH SYNCHRONOUS | ¥8.69148 | 12500 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,181.56148 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 3 N和3 P通道(三相电桥) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 500V 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.5A 供应商设备包装: 12-SIP | ¥23.32214 | 100 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥23.32214 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 540毫安 供应商设备包装: SOT-26 工作温度: -65摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥3.33173 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3.33173 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 57A (Tc) 供应商设备包装: PowerFlat(5x6) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥10.28492 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥10.28492 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2 N通道(双通道)不对称 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 13A、23A 供应商设备包装: 8-PQFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥8.76391 | 2830 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,182.21334 | 添加到BOM 立即询价 | ||
BUFFER/INVERTER BASED MOSFET DRI | ¥50.12087 | 6393 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,205.31819 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.8A 供应商设备包装: 8-MLP, MicroFET (3x1.9) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥7.89476 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7.89476 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 26A 供应商设备包装: LFPAK56D 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥11.87836 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥11.87836 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 115毫安(Ta) 供应商设备包装: SOT-363 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥0.27621 | 23700 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.27621 | 立即购买 加入购物车 | ||
HIGH SPEED SWITCHING N-CHANNEL | ¥6.44618 | 98500 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,185.25536 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 50V 漏源电流 (Id) @ 温度: 130毫安 供应商设备包装: SOT-363 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥0.36577 | 90776 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.36577 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 50V 漏源电流 (Id) @ 温度: 305毫安 供应商设备包装: SOT-26 工作温度: -65摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥3.33173 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3.33173 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 3 N和3 P通道(三相电桥) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 500V 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.5A 供应商设备包装: 12-SIP | ¥26.87116 | 87 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥26.87116 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 13.1A(Ta),47.6A(Tc) 供应商设备包装: PowerDI5060-8 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥12.16807 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12.16807 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双)公共源 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A(Ta) 供应商设备包装: 8-VSON (3.3x3.3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥7.24290 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7.24290 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A(Ta)、36A(Tc) 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥12.74750 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12.74750 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A 供应商设备包装: PG-TDSON-8-4 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥7.60505 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7.60505 | 添加到BOM 立即询价 |