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博通(Broadcom)_HCPL-0600-500E介绍_规格参数_优缺点_引脚_工作原理_封装_应用
HCPL-0600-500E是博通(Broadcom)推出的一款1通道8引脚表面贴装光耦合逻辑门光电耦合器。它结合了GaAsP发光二极管和高增益光电检测器，并通过使能输入允许检测器选通
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德州仪器_SN65HVD232DR介绍_规格参数_优缺点_引脚_工作原理_封装_CAN总线协议
SN65HVD232DR是一款由德州仪器（TI）制造的CAN总线收发器芯片。它工作在3V到3.6V的电压下，支持1Mbps的数据传输速率，具有高灵敏度和低噪声特性，适用于各种工业控制和自动化系统中的CAN总线通信
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基于硒化铋拓扑绝缘体的超灵敏室温太赫兹直接探测
毫米波和太赫兹光探测器具有巨大的应用潜力，但目前在探测方法上仍然面临挑战。拓扑绝缘体（TLs）由于具有拓扑保护的表面态的狄拉克费米子的存在，有望成为长波光探测的候选材料。近日，中国科学院上海技术物理研究所陈效双教授课题组提出了一种基于亚波长的金属-TL-金属（MTM）结构的室温下毫米波和太赫兹光子直接检测的创新策略...
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五颜六色的刺激响应可擦写变色器件
基于刺激响应材料的器件是如今的研究热点，主要集中以下三方面：先进传感器，加密设备，可擦写变色器件。其中，可擦写变色体系的应用越来越广阔，对其的性能要求也更加严格，比如：拥有良好的循环稳定性以保证其经济适用性；具有多样的印刷与擦除方式以满足各种环境和条件；展现高对比度使人易于辨认；显示多重的色彩状态来以提高实用性。
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芯片设计原始创新！散热速度提高50倍，攻克电子器件发热难题！
无论是手机、电脑，还是电动车、卫星，人类生活似乎已经离不开电子器件。器件的微型化发展趋势，决定了一个芯片上需要集成的晶体管越来越多，如此高的热通量，使得管理电子器件中产生的热量成为了一个严峻的考验。
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光电子器件材料异质集成的外延生长和层转移技术
外延技术——在晶体取向的晶圆片上生长单晶薄膜的技术——已经成为在各种无机衬底上开发现代固态电子和光子器件的关键技术。这个过程可以是均匀的(在同一材料的基材上生长)，也可以是不均匀的(在不同材料的基材上生长)。同质外延生长通常导致高质量的单晶外延层复制衬底的晶体结构。相比之下，异质外延生长通常受到epilayer与衬底材料晶格匹配要求的限制
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世界首台晶圆级氮化硅异质集成激光器
近日， Nexus Photonics公司联合创始人兼首席执行长Tin Komljenovic博士及其科研团队在硅光子集成研究领域取得重大进展，首次将晶圆级电泵浦光源集成到SiN光子平台上，并研制出世界上第一台在硅带隙以下波长工作的GaAs/SiN异质集成激光器。
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亚德诺(ADI)_ADUM3160BRWZ器件介绍_规格参数_优缺点_引脚图_封装_应用_软启动
ADUM3160BRWZ是一款由ADI（亚德诺）公司推出的数字隔离器。该隔离组件采用ADI公司的专有iCoupler技术，结合了高速CMOS和单片空心变压器技术，具有卓越的性能特点，易于与低速和全速USB兼容的外围设备集成
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TDK_ACM7060-701-2PL-TL01介绍_规格参数_优缺点_引脚图_工作原理_封装_应用
ACM7060-701-2PL-TL01是TDK Electronics生产的共模滤波器。它是一款表面贴装器件，具有1.5μH的直流电阻和15mΩ的输出电阻
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德州仪器(Texas)_LM1117IMPX-3.3/NOPB介绍_规格参数_优缺点_引脚_工作原理_封装_应用
LM1117IMPX-3.3/NOPB是德州仪器公司制造一款低功耗、高输出电流能力的线性稳压器，采用SOT-223和WSON封装。它具有800mA的输出电流能力，输入电压为15V，压差为1.2V，输出电压为3.3V
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美国微芯(MICROCHIP)_MCP1416T-E/OT介绍_规格参数_优缺点_引脚_工作原理_封装_运用
MCP1416T-E/OT是一款低端MOSFET驱动器，具有占位面积小的特点，能够提供1.5A峰值输出电流。它是一款同相低侧驱动器，意味着当输入信号为高电平时，输出信号也为高电平
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碳化硅（SiC）晶体管如何提高功率转换效率
功率转换系统的效率日益受到关注，并且对于经济和环境问题越来越重要。80 PLUS标准钛合金中定义的效率水平要求高达96％（在50％负载下）：替代的，更高效的拓扑以及采用基于宽带隙（WBG）材料的晶体管可以帮助最大程度地减少总损耗，因此提高效率。
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为什么In2O3可以制造0.7 nm原子层薄的晶体管？
诸如铟镓锌氧化物（IGZO）之类的非晶氧化物半导体是用于平板显示应用的薄膜晶体管（TFTs）中的主要沟道材料。最近，氧化物半导体，例如氧化铟（In2O3），氧化铟锡（ITO），W掺杂In2O3（IWO）和IGZO，可以应用于后段制程（BEOL）兼容晶体管中以进行单片3D集成，引起了广泛的研究兴趣。尽管In2O3比四元IGZO具有高得多的电子迁移率，但由于两个原因，IGZO在TFT技术中被采用并商业化，而不是In2O3。首先，In2O3通过溅射沉积形成多晶薄膜，由于晶界而导致电学性能不稳定
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亚德诺(ADI)_AD9833BRMZ介绍_规格参数_优缺点_引脚_工作原理_封装_应用
AD9833BRMZ是ADI公司生产的一款可编程数字信号发生器，具有高精度、低功耗、快速输出等特点。该器件可以产生多种波形，包括正弦波、三角波和方波等，广泛应用于各种测量、激励和时域响应领域
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锗——未来10年当中固态器件的救星
近70年前，贝尔电话实验室的两位物理学家——约翰•巴丁和沃尔特•布拉顿——将两个很薄的金制触片压到一个锗片上，并将第三个触片置于该锗片的下方。通过这一装置的电流可以被用来放大信号。这就是历史上的第一个晶体管。这种放大器和开关可以说是20世纪最伟大的发明。在摩尔定律的支持下，晶体管为人类带来了在20世纪50年代不可能想象到的电脑。
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德州仪器(Texas)_TPS54331DDAR介绍_规格参数_优缺点_引脚图_工作原理_封装_应用
TPS54331DDAR是一款由德州仪器（Texas Instruments）制造的28V、3A直流-直流开关降压、逐步递降稳压器
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亿光(Everlight)_H11L1S(TA)介绍_规格参数_优缺点_引脚_工作原理_封装_注意事项
H11L1S（TA）是一款逻辑输出光耦隔离器，由亿光(Everlight)生产。该器件具有高隔离电压、低反向泄漏电流、低导通电阻、高共模抑制比、快速响应时间等特点
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原子级液态金属全印刷工艺制备大尺度二维半导体与光电探测器件
近年来，随着芯片制程迭代越来越快，对集成度的要求越来越高，功能性器件的特征尺寸不断减小。现有硅基半导体技术逐步进入了“后摩尔时代”，半导体产业协会发布的国际半导体技术路线图表明：在经历了50多年器件微型化道路的技术研发之后，晶体管的尺寸可能将在5年以后停止缩减。
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亚德诺(ADI)_ADUM1200ARZ介绍_iCoupler技术_规格参数_优势_引脚_工作原理_封装_应用
ADUM1200ARZ是一款采用Analogue Devices公司iCoupler技术的双通道数字隔离器，具有窄体和符合RoHS封装的特点，能够满足现代技术应用的严格要求