品牌介绍
意法半导体是一家全球独立的半导体公司，在开发和提供微电子应用领域的半导体解决方案方面处于领先地位。硅和系统专业知识、制造实力、知识产权（IP）组合和战略合作伙伴的无与伦比的结合使该公司处于片上系统（SoC）技术的前沿，其产品在推动当今的融合趋势方面发挥着关键作用。
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图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5A 供应商设备包装: 8-TSSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥12.09564 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12.09564 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A 供应商设备包装: 8-TSSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥321.99036 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥321.99036 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥2.88460 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.88460 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥14.57272 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥14.57272 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A, 4A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥917.87823 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥917.87823 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 65A 供应商设备包装: PowerFlat（5x6） 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥13.13862 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥13.13862 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2 N通道（双通道）不对称 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 32A, 60A 供应商设备包装: PowerFlat（5x6） 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥18.20865 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥18.20865 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 40A (Tc) 供应商设备包装: PowerFlat（5x6） 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥5.85589 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥17,567.65500 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A, 5.4A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥13.18208 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥13.18208 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥215.27347 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥215.27347 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥5.83778 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5.83778 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A、3A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥16.47036 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥16.47036 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 40A (Tc) 供应商设备包装: PowerFlat（5x6） 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥8.36555 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥25,096.65000 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | MOSFET N-CH 8SOIC | ¥6.80833 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6.80833 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A, 9A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥16.07924 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥16.07924 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥15.61569 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥15.61569 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A 供应商设备包装: PowerFlat（5x6） 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥6.67795 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6.67795 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 80V 漏源电流 (Id) @ 温度: 2A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥25.63987 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥25.63987 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥14.48580 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥14.48580 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A 供应商设备包装: 8-TSSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥18.51285 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥18.51285 | 添加到BOM 立即询价 |