品牌介绍
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
久芯自营
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图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A（Ta）、39A（Tc） 最大功耗: 2.5W（Ta）、28W（Tc） 供应商设备包装: PG-TDSON-8-5 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥5.21489 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5.21489 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 18A（Ta） 最大功耗: 2.5W（Ta） 供应商设备包装: 8-SO 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥3.17385 | 5375 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥3.17385 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A (Ta) 最大功耗: 1.25W（Ta） 供应商设备包装: Micro3/SOT-23 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1.55445 | 45595 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1.55445 | 立即购买 加入购物车 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥11.58864 | 11415 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,178.66432 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 700 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A (Tc) 最大功耗: 6.2W (Tc) 供应商设备包装: PG-SOT223 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥3.48891 | 30 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥3.48891 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A (Tc) 最大功耗: 37W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO251-3-11 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥8.03962 | 150 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8.03962 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 14A（Ta） 最大功耗: 2.5W（Ta） 供应商设备包装: 8-SO 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥5.43218 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5.43218 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A（Ta）、35A（Tc） 最大功耗: 2.1W（Ta）、25W（Tc） 供应商设备包装: PG-TSDSON-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥6.78877 | 1 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥6.78877 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 13A（Ta）、48A（Tc） 最大功耗: 2.5W（Ta）、32W（Tc） 供应商设备包装: PG-TDSON-8-5 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥5.64946 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5.64946 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A（Tc） 最大功耗: 125W（Tc） 供应商设备包装: PG-TO247-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥12.02321 | 7369 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,176.20173 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥8.32571 | 30 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1,506.95423 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.7A（Ta） 最大功耗: 1.25W（Ta） 供应商设备包装: Micro3/SOT-23 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥0.91405 | 99 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.91405 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 170毫安（Ta） 最大功耗: 360mW (Ta) 供应商设备包装: PG-SOT23 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥2.89716 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.89716 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 15A（Tc） 最大功耗: 156W（Tc） 供应商设备包装: PG-TO262-3-1 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥12.02321 | 400 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,176.20173 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 75 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 85A (Tc) 最大功耗: 140W（Tc） 供应商设备包装: TO-262 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥8.69148 | 54 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8.69148 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 40A (Tc) 最大功耗: 34W (Tc) 供应商设备包装: PG-TSDSON-8 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥5.86675 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5.86675 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥12.09564 | 300 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,177.21574 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A (Ta), 23A (Tc) 最大功耗: 2.1W（Ta）、32W（Tc） 供应商设备包装: PG-TSDSON-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥5.86675 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5.86675 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 56A (Tc) 最大功耗: 110W（Tc） 供应商设备包装: IPAK (TO-251AA) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥11.57633 | 10 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥11.57633 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A（Ta）、24A（Tc） 最大功耗: 2.8W（Ta） 供应商设备包装: PQFN（3x3） 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥5.93918 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5.93918 | 添加到BOM 立即询价 |