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HSW6800
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HSW6800

  • 描述:类型:2个N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):4A 功率(Pd):1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):32mΩ@4.5V,4A
  • 品牌: 华朔 (HUASHUO)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 0.76083 0.76083
10+ 0.62631 6.26315
30+ 0.55905 16.77174
100+ 0.45737 45.73750
600+ 0.41701 250.21020
  • 库存: 3220
  • 单价: ¥0.76084
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥0.76
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规格参数

  • 类型 2个N沟道
  • 漏源电压(Vdss) 30V
  • 连续漏极电流(Id) 4A
  • 功率(Pd) 1.4W
  • 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 32mΩ@4.5V,4A
  • 阈值电压(Vgs(th)@Id) 900mV@250uA
  • 栅极电荷(Qg@Vgs) 9.5nC@4.5V
  • 输入电容(Ciss@Vds) 880pF@15V
  • 反向传输电容(Crss@Vds) 73pF@15V
  • 工作温度 -55℃~+150℃@(Tj)
HSW6800所属分类:分立场效应晶体管 (FET),HSW6800 由 华朔 (HUASHUO) 设计生产,可通过久芯网进行购买。HSW6800价格参考¥0.760838,你可以下载 HSW6800中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询HSW6800规格参数、现货库存、封装信息等信息!

华朔 (HUASHUO)

华朔 (HUASHUO)

华朔半导体有限公司是一家以自主研发、销售服务为主体的半导体器件公司。 公司秉持发展新科技,制造新产品,设置创新的解决方案。已经成为成为少数同时具备高压,中压,低压全系列Power Mosfet分立器件,...

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