HSW6800
- 描述:类型:2个N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):4A 功率(Pd):1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):32mΩ@4.5V,4A
- 品牌: 华朔 (HUASHUO)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
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1+ | 0.76083 | 0.76083 |
10+ | 0.62631 | 6.26315 |
30+ | 0.55905 | 16.77174 |
100+ | 0.45737 | 45.73750 |
600+ | 0.41701 | 250.21020 |
- 库存: 3220
- 单价: ¥0.76084
-
数量:
- +
- 总计: ¥0.76
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规格参数
- 类型 2个N沟道
- 漏源电压(Vdss) 30V
- 连续漏极电流(Id) 4A
- 功率(Pd) 1.4W
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 32mΩ@4.5V,4A
- 阈值电压(Vgs(th)@Id) 900mV@250uA
- 栅极电荷(Qg@Vgs) 9.5nC@4.5V
- 输入电容(Ciss@Vds) 880pF@15V
- 反向传输电容(Crss@Vds) 73pF@15V
- 工作温度 -55℃~+150℃@(Tj)
HSW6800所属分类:分立场效应晶体管 (FET),HSW6800 由 华朔 (HUASHUO) 设计生产,可通过久芯网进行购买。HSW6800价格参考¥0.760838,你可以下载 HSW6800中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询HSW6800规格参数、现货库存、封装信息等信息!
华朔 (HUASHUO)
华朔半导体有限公司是一家以自主研发、销售服务为主体的半导体器件公司。 公司秉持发展新科技,制造新产品,设置创新的解决方案。已经成为成为少数同时具备高压,中压,低压全系列Power Mosfet分立器件,...