场效应晶体管 (FET) 是利用电场控制电流的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极晶体管,因为它们涉及单载流子类型操作。也就是说,FET 在其工作中使用电子或空穴作为电荷载流子,但不能同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下表现出非常高的输入阻抗。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥3.84946 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥19,247.28000 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双)匹配对 场效应管特性: 耗尽型 漏源电压标 (Vdss): 10.6伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12毫安,3毫安 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: 0摄氏度~70摄氏度(TJ) | ¥43.28212 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,164.10610 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 场效应管特性: 碳化硅(SiC) 漏源电压标 (Vdss): 1200V(1.2千伏) 漏源电流 (Id) @ 温度: 251A(Tc) 供应商设备包装: SP6-P 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥8,248.50424 | 5 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,248.50424 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A 供应商设备包装: 8-SO 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥4.95414 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.95414 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.8A, 4.3A 供应商设备包装: 8-SO | ¥6.02609 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6.02609 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSC-70-6双 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥4.20088 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.20088 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.3A 供应商设备包装: 8-SO 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥266.24900 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥266.24900 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 220毫安 供应商设备包装: SC-88(SC-70-6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥21.58384 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥21.58384 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.8A 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥205.17687 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥205.17687 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电流 (Id) @ 温度: 550毫安 (Ta) 供应商设备包装: SOT-363 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥0.45000 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4,500.01000 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 碳化硅(SiC) 漏源电压标 (Vdss): 1200V(1.2千伏) 漏源电流 (Id) @ 温度: 200A(Tj) 供应商设备包装: AG-EASY2BM-2 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥2,681.03186 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,681.03186 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.5A 供应商设备包装: 8-TSSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥2.39016 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7.17047 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双)匹配对 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 10.6伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 80毫安 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: 0摄氏度~70摄氏度(TJ) | ¥43.28212 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,164.10610 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: N和P通道,公共漏极 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 80V 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.3A, 2.8A 供应商设备包装: TO-252(DPak) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥9.05363 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥9.05363 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2 N通道(相位支路) 场效应管特性: 碳化硅(SiC) 漏源电压标 (Vdss): 1200V(1.2千伏) 漏源电流 (Id) @ 温度: 733A (Tc) 供应商设备包装: SP6C 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥9,158.21248 | 6 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥9,158.21248 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 80V 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.6A 供应商设备包装: 8-SO | ¥14.65963 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥14.65963 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 13A、28A 供应商设备包装: PQFN(5x6) | ¥6.96767 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6.96767 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 24伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Ta) 供应商设备包装: 8-DFN (3x3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥1.69187 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5,075.60700 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.3A 供应商设备包装: 6-UDFN (1.6x1.6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥4.12845 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.12845 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.5A 供应商设备包装: 8-SO 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥10.19800 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥10.19800 | 添加到BOM 立即询价 |