1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.6A(Ta) 最大功耗: 1.3W(Ta) 供应商设备包装: Micro3/SOT-23 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥20.97544 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥20.97544 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 90A (Tc) 最大功耗: 417W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO263-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥13.06619 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥13.06619 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 900 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 15A(Tc) 最大功耗: 208W(Tc) 供应商设备包装: PG-TO263-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥49.70078 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥49.70078 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 8.3A (Tc) 最大功耗: 83.3W (Tc) 供应商设备包装: PG-VSON-4 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥132.09601 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥132.09601 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 800 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 190毫安(Ta) 最大功耗: 1.8W(Ta) 供应商设备包装: PG-SOT223-4 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥10.03866 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥10.03866 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.8A(Tc) 最大功耗: 28.4W(Tc) 供应商设备包装: PG-TO252-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥103.21133 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥103.21133 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A (Tc) 最大功耗: 63W (Tc) 供应商设备包装: PG-VSON-4 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥11.24098 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥11.24098 | 添加到BOM 立即询价 | ||
TRANSISTOR NPN | ¥38.82194 | 1000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,212.85081 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 25A(Tc) 最大功耗: 29W(Tc) 供应商设备包装: PG-TO252-3-11 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥1.52101 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥270.73960 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 17.2A(Ta) 最大功耗: 2.5W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥15.36943 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥15.36943 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 16.1A(Tc) 最大功耗: 208.3W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO252-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥5.75738 | 1 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1,335.71239 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.8A (Tc) 最大功耗: 62.5W (Tc) 供应商设备包装: PG-VSON-4 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥142.06224 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥142.06224 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tc) 最大功耗: 150W(Tc) 供应商设备包装: PG-TO220-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥34.82386 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥34.82386 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 15A(Ta) 最大功耗: 2.5W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥24.91558 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥24.91558 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.9A (Tc) 最大功耗: 36.7W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO252-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥18.97640 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥18.97640 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 120A(Tc) 最大功耗: 136W(Tc) 供应商设备包装: PG-TO220-3-1 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥7.89476 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,171.05928 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET N-CH 8TISON | ¥42.68965 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥42.68965 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 38A (Tc) 最大功耗: 278W(Tc) 供应商设备包装: PG-TO262-3-1 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥21.72870 | 8915 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,194.59870 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 17.5A(Tc) 最大功耗: 151W(Tc) 供应商设备包装: PG-TO220-3 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥45.32607 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥45.32607 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 10.6A(Tc) 最大功耗: 83W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO252-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥204.90164 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥204.90164 | 添加到BOM 立即询价 |