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品牌介绍

1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。

英文全称: Infineon Technologies

中文全称: 英飞凌

英文简称: Infineon

品牌地址: http://www.infineon.com/

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描述
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IRLML0100TRPBF-1
IRLML0100TRPBF-1
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.6A(Ta) 最大功耗: 1.3W(Ta) 供应商设备包装: Micro3/SOT-23 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥20.97544

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥20.97544

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IRF200S234
IRF200S234
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 90A (Tc) 最大功耗: 417W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO263-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥13.06619

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥13.06619

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IPB90R340C3ATMA1
IPB90R340C3ATMA1
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 900 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 15A(Tc) 最大功耗: 208W(Tc) 供应商设备包装: PG-TO263-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥49.70078

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥49.70078

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IPL65R460CFDAUMA1
IPL65R460CFDAUMA1
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 8.3A (Tc) 最大功耗: 83.3W (Tc) 供应商设备包装: PG-VSON-4 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥132.09601

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥132.09601

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BSP300H6327XUSA1
BSP300H6327XUSA1
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 800 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 190毫安(Ta) 最大功耗: 1.8W(Ta) 供应商设备包装: PG-SOT223-4 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥10.03866

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥10.03866

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IPD65R1K4CFDBTMA1
IPD65R1K4CFDBTMA1
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.8A(Tc) 最大功耗: 28.4W(Tc) 供应商设备包装: PG-TO252-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥103.21133

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥103.21133

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IPL65R660E6AUMA1
IPL65R660E6AUMA1
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A (Tc) 最大功耗: 63W (Tc) 供应商设备包装: PG-VSON-4 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥11.24098

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥11.24098

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SIPC69SN60C3X2SA1
SIPC69SN60C3X2SA1
TRANSISTOR NPN

¥38.82194

1000

5-7 工作日

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合计: ¥2,212.85081

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IPD25N06S4L30ATMA1
IPD25N06S4L30ATMA1
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 25A(Tc) 最大功耗: 29W(Tc) 供应商设备包装: PG-TO252-3-11 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥1.52101

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥270.73960

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IRF8113TRPBF-1
IRF8113TRPBF-1
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 17.2A(Ta) 最大功耗: 2.5W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥15.36943

9000

5-7 工作日

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合计: ¥15.36943

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IPD65R250C6XTMA1
IPD65R250C6XTMA1
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 16.1A(Tc) 最大功耗: 208.3W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO252-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥5.75738

1

2-3 工作日

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合计: ¥1,335.71239

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IPL65R725CFDAUMA1
IPL65R725CFDAUMA1
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.8A (Tc) 最大功耗: 62.5W (Tc) 供应商设备包装: PG-VSON-4 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥142.06224

9000

5-7 工作日

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合计: ¥142.06224

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IPP200N15N3GHKSA1
IPP200N15N3GHKSA1
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tc) 最大功耗: 150W(Tc) 供应商设备包装: PG-TO220-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥34.82386

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5-7 工作日

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合计: ¥34.82386

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IRF7455TRPBF-1
IRF7455TRPBF-1
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 15A(Ta) 最大功耗: 2.5W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥24.91558

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5-7 工作日

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合计: ¥24.91558

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IPD65R950CFDBTMA1
IPD65R950CFDBTMA1
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.9A (Tc) 最大功耗: 36.7W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO252-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥18.97640

9000

5-7 工作日

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合计: ¥18.97640

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IPP120P04P404AKSA1
IPP120P04P404AKSA1
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 120A(Tc) 最大功耗: 136W(Tc) 供应商设备包装: PG-TO220-3-1 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥7.89476

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,171.05928

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BSG0812NDATMA1
BSG0812NDATMA1
MOSFET N-CH 8TISON

¥42.68965

9000

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- +

合计: ¥42.68965

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IPI65R099C6XKSA1
IPI65R099C6XKSA1
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 38A (Tc) 最大功耗: 278W(Tc) 供应商设备包装: PG-TO262-3-1 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥21.72870

8915

5-7 工作日

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合计: ¥2,194.59870

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IPP65R190CFDAAKSA1
IPP65R190CFDAAKSA1
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 17.5A(Tc) 最大功耗: 151W(Tc) 供应商设备包装: PG-TO220-3 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥45.32607

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合计: ¥45.32607

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IPD60R380P6BTMA1
IPD60R380P6BTMA1
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 10.6A(Tc) 最大功耗: 83W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO252-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥204.90164

9000

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合计: ¥204.90164

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