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品牌介绍

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/航空航天和电源应用中的独特设计挑战。onsemi在北美、欧洲和亚太地区的关键市场运营着一个反应迅速、可靠、世界一流的供应链和质量计划,以及一个由制造设施、销售办事处和设计中心组成的网络。

英文全称: onsemi

中文全称: 安盛美

英文简称: onsemi

品牌地址: http://www.onsemi.com/

久芯自营
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NTMFS4C10NT1G
NTMFS4C10NT1G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8.2A (Ta) 最大功耗: 750mW (Ta), 23.6W (Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥2.31990

17

2-3 工作日

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合计: ¥2.31990

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FDMC3612
FDMC3612
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.3A(Ta)、16A(Tc) 最大功耗: 2.3W(Ta)、35W(Tc) 供应商设备包装: 8-MLP (3.3x3.3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥4.52102

89

2-3 工作日

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合计: ¥4.52102

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NTLJF3117PT1G
NTLJF3117PT1G
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.3A(Ta) 最大功耗: 710mW (Ta) 供应商设备包装: 6-WDFN (2x2) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥3.25931

0

5-7 工作日

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合计: ¥3.25931

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FDS8672S
FDS8672S
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 18A(Ta) 最大功耗: 2.5W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥13.76151

4528

5-7 工作日

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合计: ¥13.76151

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NTLUS4C12NTAG
NTLUS4C12NTAG
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.8A (Ta) 最大功耗: 630mW (Ta) 供应商设备包装: 6-UDFN (2x2) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥5.93918

165

5-7 工作日

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合计: ¥5.93918

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FDS2672
FDS2672
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.9A (Ta) 最大功耗: 2.5W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥14.26851

0

5-7 工作日

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合计: ¥14.26851

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FDP52N20
FDP52N20
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 52A (Tc) 最大功耗: 357W (Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥18.75911

0

5-7 工作日

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合计: ¥18.75911

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NTMFS4C35NT1G
NTMFS4C35NT1G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12.4A(Ta) 最大功耗: 780mW (Ta), 33W (Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥6.37375

1427

5-7 工作日

- +

合计: ¥6.37375

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FDS9431A
FDS9431A
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.5A(Ta) 最大功耗: 2.5W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥5.86675

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥5.86675

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ATP304-TL-H
ATP304-TL-H
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 100A(Ta) 最大功耗: 90W (Tc) 供应商设备包装: ATPAK 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥31.57904

0

5-7 工作日

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合计: ¥31.57904

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FQD6N25TM
FQD6N25TM
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 250伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.4A (Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta)、45W(Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥6.15647

175

5-7 工作日

- +

合计: ¥6.15647

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FDC5661N-F085
FDC5661N-F085
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.3A (Ta) 最大功耗: 1.6W(Ta) 供应商设备包装: SuperSOT-6. 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥5.07003

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥5.07003

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FQB50N06TM
FQB50N06TM
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tc) 最大功耗: 3.75W (Ta), 120W (Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥11.44378

5575

5-7 工作日

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合计: ¥11.44378

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FDS9435A
FDS9435A
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.3A (Ta) 最大功耗: 2.5W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥2.15114

14636

2-3 工作日

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合计: ¥2.15114

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MVGSF1N02LT1G
MVGSF1N02LT1G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 750毫安 (Ta) 最大功耗: 400mW (Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥4.85274

0

5-7 工作日

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合计: ¥4.85274

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NVMFS5C404NLAFT1G
NVMFS5C404NLAFT1G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 370A (Tc) 最大功耗: 200W(Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥32.95520

0

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FQB33N10LTM
FQB33N10LTM
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 33A (Tc) 最大功耗: 3.75W (Ta), 127W (Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥13.18208

0

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FDS4435BZ
FDS4435BZ
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8.8A (Ta) 最大功耗: 2.5W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥3.45269

2449

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NTLJS5D0N03CTAG
NTLJS5D0N03CTAG
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 11.2A(Ta) 最大功耗: 860mW (Ta) 供应商设备包装: 6-PQFN (2x2) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥6.59104

2972325

5-7 工作日

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NTGS3443T1G
NTGS3443T1G
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.2A(Ta) 最大功耗: 500mW (Ta) 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥1.38557

10

2-3 工作日

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