场效应晶体管 (FET) 是利用电场控制电流的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极晶体管,因为它们涉及单载流子类型操作。也就是说,FET 在其工作中使用电子或空穴作为电荷载流子,但不能同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下表现出非常高的输入阻抗。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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场效应管类型: 2 N通道(半桥) 场效应管特性: 碳化硅(SiC) 漏源电压标 (Vdss): 1700伏(1.7千伏) 漏源电流 (Id) @ 温度: 325A (Tc) 供应商设备包装: Module 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥6,390.84524 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6,390.84524 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2 N通道(双)公共漏极 场效应管特性: 逻辑电平门,2.5V驱动 漏源电压标 (Vdss): 24伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 14A 供应商设备包装: SOT-28FL/ECH8 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥4.70789 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.70789 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 540毫安, 430毫安 供应商设备包装: SOT-563 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥1.78103 | 100 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1.78103 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 80V 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.7A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥12.02321 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12.02321 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A 供应商设备包装: PowerPAKSC-70-6双 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥4.70789 | 1180 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.70789 | 添加到BOM 立即询价 | ||
TRANS MOSFET N-CH 250V 8.1A T/R | ¥1.23129 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,850.63338 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2 N通道(半桥) 场效应管特性: 碳化硅(SiC) 漏源电压标 (Vdss): 1200V(1.2千伏) 漏源电流 (Id) @ 温度: 1015A(Tc) 供应商设备包装: Module 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥20,227.46412 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥20,227.46412 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8双 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥12.24050 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12.24050 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2 N通道(半桥) 场效应管特性: 碳化硅(SiC) 漏源电压标 (Vdss): 1200V(1.2千伏) 漏源电流 (Id) @ 温度: 468A (Tc) 供应商设备包装: Module 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥6,783.26557 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6,783.26557 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 860毫安 供应商设备包装: 6-TSSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥0.91985 | 1000 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.91985 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.5A (Ta), 4.2A (Ta) 供应商设备包装: 8-SO 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥5.28732 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5.28732 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9A 供应商设备包装: 8-SO 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥6.20057 | 7874 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥6.20057 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 45伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1A 供应商设备包装: TSMT6(SC-95) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥2.91020 | 50 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥2.91020 | 立即购买 加入购物车 | ||
PFET, 100A I(D), 40V, 0.0035OHM, | ¥5.64946 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,813.47730 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 50V 漏源电流 (Id) @ 温度: 160毫安 供应商设备包装: SOT-563 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥3.76631 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3.76631 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2 N通道(半桥) 场效应管特性: 碳化硅(SiC) 漏源电压标 (Vdss): 1200V(1.2千伏) 漏源电流 (Id) @ 温度: 400A (Tc) 供应商设备包装: Module 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥15,520.52069 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥15,520.52069 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 220毫安(Ta) 供应商设备包装: SOT-963 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥4.85274 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.85274 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8.5A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥5.21489 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5.21489 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 800毫安 供应商设备包装: SOT-66 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥3.40416 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3.40416 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.7A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥12.31293 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12.31293 | 添加到BOM 立即询价 |