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品牌介绍

Vishay的产品组合是无可匹敌的分立半导体(二极管、MOSFET和光电子)和无源元件(电阻器、电感器和电容器)的集合。这些组件几乎用于工业、计算、汽车、消费者、电信、军事、航空航天和医疗市场的所有类型的电子设备和设备。Vishay很自豪能成为Digi Key的主要合作伙伴。

英文全称: Vishay Siliconix

中文全称: 黑森尔

英文简称: Vishay Siliconix

品牌地址: http://www.vishay.com/company/brands/siliconix/

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品牌型号
描述
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SI4909DY-T1-GE3
SI4909DY-T1-GE3
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥7.89476

19754

5-7 工作日

- +

合计: ¥7.89476

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SIZ348DT-T1-GE3
SIZ348DT-T1-GE3
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 18A(Ta)、30A(Tc) 供应商设备包装: 8-Power33 (3x3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥7.89476

2875

5-7 工作日

- +

合计: ¥7.89476

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SIZF300DT-T1-GE3
SIZF300DT-T1-GE3
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 23A(Ta)、75A(Tc)、34A(Ta 供应商设备包装: 8-PowerPair (6x5) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥8.69148

2925

5-7 工作日

- +

合计: ¥8.69148

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SISF06DN-T1-GE3
SISF06DN-T1-GE3
场效应管类型: 2 N通道(双)公共漏极 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 28A(Ta)、101A(Tc) 供应商设备包装: PowerPAK1212-8SCD 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥8.98120

1865

5-7 工作日

- +

合计: ¥8.98120

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SI4532ADY-T1-GE3
SI4532ADY-T1-GE3
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.7A, 3A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥263.77193

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥263.77193

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SQJ912AEP-T1_GE3
SQJ912AEP-T1_GE3
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A 供应商设备包装: PowerPAKSO-8双 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥7.34430

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥7.34430

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SQJ942EP-T1_GE3
SQJ942EP-T1_GE3
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 15A(Tc)、45A(Tc 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥9.19848

1520

5-7 工作日

- +

合计: ¥9.19848

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SQ4937EY-T1_BE3
SQ4937EY-T1_BE3
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5A (Tc) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥9.34334

2460

5-7 工作日

- +

合计: ¥9.34334

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SQ4937EY-T1_GE3
SQ4937EY-T1_GE3
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5A (Tc) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥9.34334

1876

5-7 工作日

- +

合计: ¥9.34334

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SIZ926DT-T1-GE3
SIZ926DT-T1-GE3
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 40A (Tc), 60A (Tc) 供应商设备包装: 8-PowerPair (6x5) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥9.85034

1316

5-7 工作日

- +

合计: ¥9.85034

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SISF04DN-T1-GE3
SISF04DN-T1-GE3
场效应管类型: 2 N通道(双)公共漏极 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Ta), 108A (Tc) 供应商设备包装: PowerPAK1212-8SCD 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥10.21249

2394

5-7 工作日

- +

合计: ¥10.21249

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SI5908DC-T1-E3
SI5908DC-T1-E3
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.4A 供应商设备包装: 1206-8芯片FET 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥10.50221

2887

5-7 工作日

- +

合计: ¥10.50221

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SQJ202EP-T1_GE3
SQJ202EP-T1_GE3
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A、60A 供应商设备包装: PowerPAKSO-8双不对称 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥11.08164

1822

5-7 工作日

- +

合计: ¥11.08164

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SQJ244EP-T1_GE3
SQJ244EP-T1_GE3
场效应管类型: 2 N通道(双通道)不对称 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A(Tc)、60A(Tc 供应商设备包装: PowerPAKSO-8双不对称 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥11.22650

1912

5-7 工作日

- +

合计: ¥11.22650

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SIZ980DT-T1-GE3
SIZ980DT-T1-GE3
场效应管类型: 2 N通道(双通道),肖特基 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A(Tc)、60A(Tc 供应商设备包装: 8-PowerPair (6x5) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥11.22650

1649

5-7 工作日

- +

合计: ¥11.22650

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SIZ710DT-T1-GE3
SIZ710DT-T1-GE3
场效应管类型: 2 N通道(半桥) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 16A、35A 供应商设备包装: 6-PowerPair 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥11.29892

2861

5-7 工作日

- +

合计: ¥11.29892

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SQ4282EY-T1_BE3
SQ4282EY-T1_BE3
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Tc) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥11.44378

2199

5-7 工作日

- +

合计: ¥11.44378

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SI4963BDY-T1-E3
SI4963BDY-T1-E3
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.9A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥11.44378

1964

5-7 工作日

- +

合计: ¥11.44378

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SQ4282EY-T1_GE3
SQ4282EY-T1_GE3
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Tc) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥11.44378

1919

5-7 工作日

- +

合计: ¥11.44378

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SI7923DN-T1-E3
SI7923DN-T1-E3
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.3A 供应商设备包装: PowerPAK1212-8双 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥11.95079

2351

5-7 工作日

- +

合计: ¥11.95079

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