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品牌介绍

Vishay的产品组合是无可匹敌的分立半导体(二极管、MOSFET和光电子)和无源元件(电阻器、电感器和电容器)的集合。这些组件几乎用于工业、计算、汽车、消费者、电信、军事、航空航天和医疗市场的所有类型的电子设备和设备。Vishay很自豪能成为Digi Key的主要合作伙伴。

英文全称: Vishay Siliconix

中文全称: 黑森尔

英文简称: Vishay Siliconix

品牌地址: http://www.vishay.com/company/brands/siliconix/

久芯自营
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描述
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SQJ850EP-T1_GE3
SQJ850EP-T1_GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 24A(Tc) 最大功耗: 45W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥13.61665

0

5-7 工作日

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合计: ¥13.61665

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IRLD024PBF
IRLD024PBF
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.5A(Ta) 最大功耗: 1.3W(Ta) 供应商设备包装: 4-HVMDIP 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥14.77552

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合计: ¥14.77552

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IRFP460BPBF
IRFP460BPBF
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A(Tc) 最大功耗: 278W(Tc) 供应商设备包装: TO-247AC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥25.56744

0

5-7 工作日

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合计: ¥25.56744

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SIJ482DP-T1-GE3
SIJ482DP-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 60A (Tc) 最大功耗: 5W (Ta), 69.4W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥13.61665

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5-7 工作日

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合计: ¥13.61665

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IRLR110TRPBF
IRLR110TRPBF
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.3A (Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta)、25W(Tc) 供应商设备包装: D-Pak 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥7.09804

1967

5-7 工作日

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合计: ¥7.09804

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SQJA90EP-T1_GE3
SQJA90EP-T1_GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 60A (Tc) 最大功耗: 68W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥10.06763

0

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合计: ¥10.06763

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IRFR220TRPBF
IRFR220TRPBF
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.8A (Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta)、42W(Tc) 供应商设备包装: D-Pak 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥7.09804

0

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合计: ¥7.09804

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SIR818DP-T1-GE3
SIR818DP-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tc) 最大功耗: 5.2W (Ta), 69W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥10.14006

1

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合计: ¥10.14006

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SI4436DY-T1-E3
SI4436DY-T1-E3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta),5W(Tc) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥7.09804

0

5-7 工作日

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合计: ¥7.09804

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SQJ465EP-T1_GE3
SQJ465EP-T1_GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Tc) 最大功耗: 45W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TA)

¥10.14006

0

5-7 工作日

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合计: ¥10.14006

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SI1308EDL-T1-BE3
SI1308EDL-T1-BE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.5A(Ta)、1.4A(Tc) 最大功耗: 400mW (Ta), 500mW (Tc) 供应商设备包装: SC-70-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥3.47659

0

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SI8812DB-T2-E1
SI8812DB-T2-E1
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.3A(Ta) 最大功耗: 500mW (Ta) 供应商设备包装: 4-Microfoot 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥3.33173

0

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合计: ¥3.33173

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SI4156DY-T1-GE3
SI4156DY-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 24A(Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta)、6W(Tc) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥7.09804

0

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合计: ¥7.09804

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SI1317DL-T1-BE3
SI1317DL-T1-BE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.4A(Ta)、1.4A(Tc) 最大功耗: 400mW (Ta), 500mW (Tc) 供应商设备包装: SC-70-3 工作温度: -50摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥3.47659

0

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合计: ¥3.47659

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SI7139DP-T1-GE3
SI7139DP-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 40A (Tc) 最大功耗: 5W (Ta), 48W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥11.73350

0

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SQS460ENW-T1_GE3
SQS460ENW-T1_GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Tc) 最大功耗: 39W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAK1212-8W 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥6.73590

0

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SI7655ADN-T1-GE3
SI7655ADN-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 40A (Tc) 最大功耗: 4.8W (Ta), 57W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAK1212-8S 工作温度: -50摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥7.02561

0

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SIHD3N50D-GE3
SIHD3N50D-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A (Tc) 最大功耗: 69W (Tc) 供应商设备包装: D-Pak 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥7.02561

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合计: ¥7.02561

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SI7772DP-T1-GE3
SI7772DP-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 35.6A (Tc) 最大功耗: 3.9W (Ta), 29.8W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥6.15647

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SIR424DP-T1-GE3
SIR424DP-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Tc) 最大功耗: 4.8W (Ta), 41.7W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥7.09804

0

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