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品牌介绍

意法半导体是一家全球独立的半导体公司,在开发和提供微电子应用领域的半导体解决方案方面处于领先地位。硅和系统专业知识、制造实力、知识产权(IP)组合和战略合作伙伴的无与伦比的结合使该公司处于片上系统(SoC)技术的前沿,其产品在推动当今的融合趋势方面发挥着关键作用。

英文全称: STMicroelectronics

中文全称: 意法半导体

英文简称: STMicroelectronics

品牌地址: http://www.st.com/

久芯自营
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品牌型号
描述
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操作
STGB5H60DF
STGB5H60DF
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 10A 最大功率: 88 W 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥4.74048

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥4,740.47800

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STGW15M120DF3
STGW15M120DF3
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 30 A 最大功率: 259 W 供应商设备包装: TO-247 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥27.79086

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥16,674.51720

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STGD18N40LZT4
STGD18N40LZT4
集电极击穿电压: 420伏 最大集电极电流 (Ic): 25 A 最大功率: 125瓦 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥9.93143

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥24,828.57000

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STGD3HF60HDT4
STGD3HF60HDT4
集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 7.5 A 最大功率: 38瓦 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥3.69933

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥3.69933

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STGD6NC60HDT4
STGD6NC60HDT4
集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 15A 最大功率: 56 W 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥6.53310

100

2-3 工作日

- +

合计: ¥6.53310

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STGW80H65FB
STGW80H65FB
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 120 A 最大功率: 469 W 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥28.73910

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥17,243.46180

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STGD7NB60ST4
STGD7NB60ST4
集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 15A 最大功率: 55 W 供应商设备包装: DPAK 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥8.34780

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥20,869.51000

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STGD10NC60KDT4
STGD10NC60KDT4
集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 20A 最大功率: 62 W 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥11.73350

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥11.73350

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STGB10M65DF2
STGB10M65DF2
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 20A 最大功率: 115瓦 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥24.15071

10

2-3 工作日

- +

合计: ¥24,150.71100

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STGW60H65DFB-4
STGW60H65DFB-4
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 80 A 最大功率: 375瓦 供应商设备包装: TO-247-4 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥51.38069

10

2-3 工作日

- +

合计: ¥30,828.41460

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STGD20N40LZ
STGD20N40LZ
集电极击穿电压: 390伏 最大集电极电流 (Ic): 25 A 最大功率: 125瓦 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥9.28576

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥23,214.40000

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STGB20V60F
STGB20V60F
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 40 A 最大功率: 167 W 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥7.52900

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥7,528.99500

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STGD5H60DF
STGD5H60DF
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 10A 最大功率: 83 W 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥14.16674

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥14.16674

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STGD4M65DF2
STGD4M65DF2
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 8 A 最大功率: 68 W 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥3.15283

2477

2-3 工作日

- +

合计: ¥3.15283

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STGB6NC60HDT4
STGB6NC60HDT4
集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 15A 最大功率: 56 W 供应商设备包装: D2PAK 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥4.63467

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥4.63467

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STGD6M65DF2
STGD6M65DF2
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 12A 最大功率: 88 W 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥9.44799

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥9.44799

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STGD14NC60KT4
STGD14NC60KT4
集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 25 A 最大功率: 80 W 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥6.57453

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥16,436.31250

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STGB10NC60HDT4
STGB10NC60HDT4
集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 20A 最大功率: 65 W 供应商设备包装: D2PAK 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥11.73350

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥11.73350

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STGB20H65DFB2
STGB20H65DFB2
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 40 A 最大功率: 147 W 供应商设备包装: D2PAK-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥17.58231

0

2-3 工作日

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合计: ¥17.58231

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STGD25N40LZAG
STGD25N40LZAG
集电极击穿电压: 435伏 最大集电极电流 (Ic): 25 A 最大功率: 125瓦 供应商设备包装: D-PAK (TO-252) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥14.19608

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥14.19608

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