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品牌介绍

意法半导体是一家全球独立的半导体公司,在开发和提供微电子应用领域的半导体解决方案方面处于领先地位。硅和系统专业知识、制造实力、知识产权(IP)组合和战略合作伙伴的无与伦比的结合使该公司处于片上系统(SoC)技术的前沿,其产品在推动当今的融合趋势方面发挥着关键作用。

英文全称: STMicroelectronics

中文全称: 意法半导体

英文简称: STMicroelectronics

品牌地址: http://www.st.com/

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STGB20V60DF
STGB20V60DF
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 40 A 最大功率: 167 W 供应商设备包装: D2PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥13.47179

0

5-7 工作日

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合计: ¥13.47179

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STGB14NC60KDT4
STGB14NC60KDT4
集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 25 A 最大功率: 80 W 供应商设备包装: D2PAK 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥6.64197

0

2-3 工作日

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合计: ¥6.64197

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STGD5NB120SZT4
STGD5NB120SZT4
集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 10A 最大功率: 75 W 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥8.08032

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥20,200.81000

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STGB20M65DF2
STGB20M65DF2
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 40 A 最大功率: 166 W 供应商设备包装: D2PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥14.76577

819

2-3 工作日

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合计: ¥14.76577

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STGD20N45LZAG
STGD20N45LZAG
集电极击穿电压: 450伏 最大集电极电流 (Ic): 25 A 最大功率: 125瓦 供应商设备包装: D-PAK (TO-252) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥15.49981

0

5-7 工作日

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合计: ¥15.49981

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STGP6NC60HD
STGP6NC60HD
集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 15A 最大功率: 56 W 供应商设备包装: TO-220 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥13.56770

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥13.56770

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STGB15H60DF
STGB15H60DF
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 30 A 最大功率: 115瓦 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥16.62595

20

2-3 工作日

- +

合计: ¥16.62595

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STGP8NC60KD
STGP8NC60KD
集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 15A 最大功率: 65 W 供应商设备包装: TO-220 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥22.19595

14

2-3 工作日

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合计: ¥22.19595

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STGF5H60DF
STGF5H60DF
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 10A 最大功率: 24瓦 供应商设备包装: TO-220FP 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥7.29356

0

2-3 工作日

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合计: ¥7.29356

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STGP10NC60KD
STGP10NC60KD
集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 20A 最大功率: 65 W 供应商设备包装: TO-220 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥31.20255

47

2-3 工作日

- +

合计: ¥31.20255

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STGB30H65DFB2
STGB30H65DFB2
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 50 A 最大功率: 167 W 供应商设备包装: D2PAK-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥17.67268

1

5-7 工作日

- +

合计: ¥17.67268

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STGF10M65DF2
STGF10M65DF2
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 20A 最大功率: 30瓦 供应商设备包装: TO-220FP 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥10.93678

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥10.93678

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STGF10H60DF
STGF10H60DF
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 20A 最大功率: 30瓦 供应商设备包装: TO-220FP 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥11.87836

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥11.87836

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STGP10H60DF
STGP10H60DF
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 20A 最大功率: 115瓦 供应商设备包装: TO-220 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥19.25331

25

2-3 工作日

- +

合计: ¥19.25331

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STGB40V60F
STGB40V60F
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 80 A 最大功率: 283 W 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥20.42498

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥20.42498

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STGB30V60DF
STGB30V60DF
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 60 A 最大功率: 258 W 供应商设备包装: D2PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥20.85955

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥20.85955

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STGB20H60DF
STGB20H60DF
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 40 A 最大功率: 167 W 供应商设备包装: D2PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥10.54059

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥10,540.59200

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STGB30H60DFB
STGB30H60DFB
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 60 A 最大功率: 260 W 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥21.65627

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥21.65627

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STGF15M65DF2
STGF15M65DF2
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 30 A 最大功率: 31 W 供应商设备包装: TO-220FP 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥5.46260

100

2-3 工作日

- +

合计: ¥5.46260

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STGW10M65DF2
STGW10M65DF2
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 20A 最大功率: 115瓦 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥3.20538

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合计: ¥3.20538

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