品牌介绍
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
久芯自营
原装正品 1片起订 快至当天发货
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 75 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 76A (Tc) 最大功耗: 125W（Tc） 供应商设备包装: DPAK (TO-263AB) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥4.12845 | 9 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥37.15608 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.2A（Ta） 最大功耗: 540mW (Ta) 供应商设备包装: Micro3/SOT-23 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥60.18850 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥60.18850 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 16A（Ta） 最大功耗: 2.5W（Ta） 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥7.43122 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7.43122 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 20.2A（Tc） 最大功耗: 151W（Tc） 供应商设备包装: PG-TO263-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥21.47520 | 5 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥6,077.48132 | 立即购买 加入购物车 | |
| | MOSFET N-CH 600V D2PAK | ¥29.78281 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥29.78281 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 10.6A（Tc） 最大功耗: 83W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO263-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥11.40033 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥11.40033 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 36A (Tc) 最大功耗: 92W（Tc） 供应商设备包装: PG-TO263-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥8.98120 | 5229 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8.98120 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 5A (Ta) 最大功耗: 1W（Ta） 供应商设备包装: SOT-223 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥7.46381 | 30 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥7.46381 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 84A (Tc) 最大功耗: 4.2W (Ta), 63W (Tc) 供应商设备包装: PQFN（5x6） 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥12.74750 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12.74750 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 120A（Tc） 最大功耗: 188W（Tc） 供应商设备包装: PG-TO220-3-1 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥6.59104 | 12852 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,181.63391 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 23A（Ta）、140A（Tc） 最大功耗: 2.1W（Ta）、75W（Tc） 供应商设备包装: DIRECTFETMX 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥52.68486 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥52.68486 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 99A（Tc） 最大功耗: 375W (Tc) 供应商设备包装: D2PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥38.51774 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥38.51774 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 120A（Tc） 最大功耗: 167W（Tc） 供应商设备包装: PG-TO220-3-1 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥66.40291 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥66.40291 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 16A（Ta）、50A（Tc） 最大功耗: 2.1W（Ta）、20W（Tc） 供应商设备包装: DirectFET等距S1 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥8.19896 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8.19896 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 99A（Tc） 最大功耗: 375W (Tc) 供应商设备包装: TO-262 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥17.74511 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,182.64791 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 45A (Tc) 最大功耗: 71W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO220-3-1 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥4.05602 | 9500 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,169.97284 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 28A（Ta）、125A（Tc） 最大功耗: 2.1W（Ta）、42W（Tc） 供应商设备包装: DIRECTFETS3C 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥28.11694 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥28.11694 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 300A (Tc) 最大功耗: 429W (Tc) 供应商设备包装: PG-HSOF-8-1 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥18.51285 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥18.51285 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 44A (Ta), 260A (Tc) 最大功耗: 3.5W (Ta), 125W (Tc) 供应商设备包装: PQFN（5x6） 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥14.31197 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥14.31197 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 90A (Tc) 最大功耗: 150W（Tc） 供应商设备包装: PG-TO220-3-1 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥8.24242 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8.24242 | 添加到BOM 立即询价 |